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OLED屏幕顏色三種實(shí)現(xiàn)方案

    上面提到的這種高端大氣上檔次的“蒸鍍”法，主要應(yīng)用于RGB三色排列的典型OLED屏幕。三星的諸多OLED電視產(chǎn)品都是基于這種方法蒸鍍出來(lái)的，效果很不錯(cuò)，三原色都非常純粹，但成本非常高昂。這類(lèi)蒸鍍所用的技術(shù)叫FMM，精細(xì)金屬掩模板，就是蒸鍍的時(shí)候?yàn)榱藚^(qū)分像素，蓋個(gè)掩膜，所以對(duì)齊的問(wèn)題，以及掩膜材料本身都會(huì)成為技術(shù)難點(diǎn)。

    實(shí)際上，人類(lèi)為了控制成本，OLED電視不止上述一種，有一類(lèi)藍(lán)光+色變換層：這種方案只需要蒸鍍藍(lán)光OLED元件，經(jīng)過(guò)變換層將光轉(zhuǎn)為RGB三色，這類(lèi)技術(shù)受到色彩轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)難度的限制，并未被大規(guī)模采用。

    還有一類(lèi)OLED電視是白光+三種彩色濾光片，原理上和LCD液晶面板有些類(lèi)似，以白色為背光，再加彩色濾光片—這種方式在成本上顯然就低了很多，LG就曾以這種方案生產(chǎn)OLED電視，白光OLED +彩色濾光片也一度被認(rèn)為是OLED進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低成本的方案。只不過(guò)加上濾光片，透光率光色純度都更成問(wèn)題，所以亮度、對(duì)比度、色彩、節(jié)能表現(xiàn)理論上都不及RGB OLED。

    AMOLED技術(shù)的開(kāi)發(fā)主要涉及到TFT背板和OLED器件兩個(gè)方面。在技術(shù)路線(xiàn)的選擇上，目前國(guó)際上尚未統(tǒng)一，有多種技術(shù)方案在開(kāi)發(fā)中。

    發(fā)光器件即OLED的性能決定了AMOLED顯示屏的色彩表現(xiàn)力、功耗等品質(zhì)，因此OLED器件技術(shù)的開(kāi)發(fā)對(duì)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的提高具有非常重要的意義。 OLED器件制備技術(shù)主要有兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，一個(gè)是開(kāi)發(fā)高遷移率的傳輸材料和高效率、長(zhǎng)壽命發(fā)光材料，另一個(gè)是開(kāi)發(fā)新型器件結(jié)構(gòu)，提高器件性能。因此，開(kāi)發(fā)新型有機(jī)材料、設(shè)計(jì)新型器件結(jié)構(gòu)和改進(jìn)真空蒸鍍技術(shù)將是研究的重點(diǎn)。

    目前，TFT背板中的溝道層半導(dǎo)體材料主要有非晶硅（a-Si）、微晶硅（μ-Si）、低溫多晶硅（LTPS）、單晶硅、有機(jī)物和氧化物等。由于 OLED是電流驅(qū)動(dòng)型器件，需要穩(wěn)定的電流來(lái)控制發(fā)光特性。為了達(dá)到足夠的亮度，AMOLED需要TFT的溝道材料具有較高的遷移率，以提供較高的電流密度，因此目前普遍應(yīng)用于TFT-LCD中的非晶硅TFT由于遷移率較低很難滿(mǎn)足要求。另外，與TFT-LCD所不同的是，AMOLED需要TFT長(zhǎng)時(shí)間處于開(kāi)啟狀態(tài)，非晶硅TFT的閾值電壓漂移問(wèn)題也使其很難應(yīng)用在A(yíng)MOLED中。從技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀來(lái)看，較有希望的是LTPS TFT和氧化物TFT等技術(shù)，但也存在很多難點(diǎn)。

    目前，應(yīng)用在A(yíng)MOLED中最成熟的TFT背板技術(shù)是低溫多晶硅（LTPS）技術(shù)。在LTPS技術(shù)中，最重要的工藝難點(diǎn)即為多晶硅溝道層的制備。工藝流程中首先使用PECVD等方法在不含堿離子的玻璃基板上淀積一層非晶硅，而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量，原子重新排列以形成多晶硅結(jié)構(gòu)，從而減少缺陷并得到較高的電子遷移率。

    對(duì)LTPS結(jié)晶化技術(shù)而言，激光結(jié)晶化技術(shù)尤其是準(zhǔn)分子激光退火（ELA）技術(shù)目前在小尺寸應(yīng)用方面已經(jīng)較為成熟，全球已經(jīng)量產(chǎn)的AMOLED產(chǎn)品基本都使用了ELA技術(shù)。ELA技術(shù)的難點(diǎn)在于TFT的一致性問(wèn)題，各像素間TFT特性的不同導(dǎo)致OLED的發(fā)光強(qiáng)度出現(xiàn)不均勻，進(jìn)而導(dǎo)致面板成品率無(wú)法保障，因此提高ELA技術(shù)制備的TFT一致性一直是國(guó)內(nèi)外各單位研發(fā)的重點(diǎn)。另外，ELA技術(shù)在大尺寸基板的量產(chǎn)方面也存在較大的問(wèn)題。

    另一方面，非激光結(jié)晶化技術(shù)在實(shí)現(xiàn)大尺寸基板量產(chǎn)并降低成本，以及在TFT均勻性方面具有很大優(yōu)勢(shì)。但非激光結(jié)晶化技術(shù)在現(xiàn)階段也同樣存在著技術(shù)難題。其中金屬誘導(dǎo)晶化（MIC）技術(shù)因?yàn)榻饘傥廴緦?dǎo)致的漏電流等問(wèn)題，使得缺陷和壽命問(wèn)題很難解決；固相結(jié)晶化（SPC）技術(shù)在大尺寸AMOLED的制備上具有較大的綜合性?xún)?yōu)勢(shì)，但其載流子遷移率與激光結(jié)晶化技術(shù)相比較低，而且在量產(chǎn)技術(shù)方面仍然需要進(jìn)一步完善。

    LTPS-AMOLED的制作工藝囊括了顯示面板行業(yè)的諸多尖端技術(shù)，其主要分為背板段，前板段以及模組段三道工藝。 背板段工藝通過(guò)成膜，曝光，蝕刻疊加不同圖形不同材質(zhì)的膜層以形成LTPS（低溫多晶硅）驅(qū)動(dòng)電路，其為發(fā)光器件提供點(diǎn)亮信號(hào)以及穩(wěn)定的電源輸入。其技術(shù)難點(diǎn)在于微米級(jí)的工藝精細(xì)度以及對(duì)于電性指標(biāo)的極高均一度要求。

    鍍膜工藝是使用鍍膜設(shè)備，用物理或化學(xué)的方式將所需材質(zhì)沉積到玻璃基板上（2）；

    曝光工藝是采用光學(xué)照射的方式，將光罩上的圖案通過(guò)光阻轉(zhuǎn)印到鍍膜后的基板上（3、4、5）；

    蝕刻工藝是使用化學(xué)或者物理的方式，將基板上未被光阻覆蓋的圖形下方的膜蝕刻掉，最后將覆蓋膜上的光阻洗掉，留下具有所需圖形的膜層（7、8）。