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升降壓芯片

ME2169

    ME2169是一款由基準(zhǔn)電壓源、振蕩電路、誤差放大電路、相位補(bǔ)償電路、電流限制電路、PWM/PFM控制電路等構(gòu)成的CMOS升壓型DC/DC控制器。

    由于使用外接的低導(dǎo)通電阻的增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET,因此適用于需要高效率、高輸出電流的應(yīng)用電路。

    另外,可通過在VSENSE端子連接電流檢測電阻(RSENSE)來限制輸出電流。由于將電流檢測電壓(VSENSE)設(shè)定為100mV±10%,因此可減少在RSENSE端產(chǎn)生的損耗。

    ME2169外圍的輸出電容器可使用陶瓷電容器。并且,采用了小型的SOT23-6封裝,因此可適用于高密度安裝高精度高效率的應(yīng)用。
    ME2169概述:
        ME2169是一款由基準(zhǔn)電壓源、振蕩電路、誤差放大電路、相位補(bǔ)償電路、電流限制電路、PWM/PFM控制電路等構(gòu)成的CMOS升壓型DC/DC控制器。
        由于使用外接的低導(dǎo)通電阻的增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET,因此適用于需要高效率、高輸出電流的應(yīng)用電路。
        另外,可通過在VSENSE端子連接電流檢測電阻(RSENSE)來限制輸出電流。由于將電流檢測電壓(VSENSE)設(shè)定為100mV±10%,因此可減少在RSENSE端產(chǎn)生的損耗。
        ME2169外圍的輸出電容器可使用陶瓷電容器。并且,采用了小型的SOT23-6封裝,因此可適用于高密度安裝高精度高效率的應(yīng)用。

    ME2169特點(diǎn):
    具有可自由設(shè)置的電流限制功能:如當(dāng)設(shè)定RSENSE=50mΩ時,限流值是 2A。
    占空比范圍:基于PWM/PFM開關(guān)控制電路,最高可達(dá)78%(PWM模式).
    工作頻率:1.0MHz
    基準(zhǔn)電壓:1.25V±2.0%
    消耗電流低:靜止時60µA(典型值)
    輸出電流:3A(VIN=3.6V,VOUT=5.0V,且設(shè)定限流值設(shè)定不低于3A)
    軟啟動時間: 2 ms(典型值)
    UVLO (欠壓鎖定) 功能:VDD<2.3V
    外接元器件:電感器、二極管、電容器、晶體管、電阻

    ME2169應(yīng)用:
    移動電源、數(shù)碼音響播放器
    LED 照明、GPS、無繩收發(fā)機(jī)
    其他攜帶設(shè)備

    ME2169選購指南:


    ME2169典型應(yīng)用電路:


    ME2169引腳示意圖及描述:


    ME2169功能示意圖:

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