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單P-MOS

CST30P10D DFN2020-6L

    CST30P10D是BVDSS=-30V,RDSON=19mΩ,ID=-10A的P溝道快速切換Mosfet。提供DFN2020-6L封裝。
    CST30P10D是高單元密度溝槽P溝道MOSFET,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。
    CST30P10D符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到批準(zhǔn)。
    CST30P10D 描述:
        CST30P10D是BVDSS=-30V,RDSON=19mΩ,ID=-10A的P溝道快速切換Mosfet。提供DFN2020-6L封裝。
        CST30P10D是高單元密度溝槽P溝道MOSFET,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。
        CST30P10D符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到批準(zhǔn)。

    CST30P10D 特點(diǎn):
    100%EAS保證
    綠色設(shè)備可用
    超低柵極電荷
    出色的CdV/dt效應(yīng)下降
    先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)

    CST30P10D 產(chǎn)品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -30V

    19

    -10A


    CST30P10D DFN2020-6L 引腳配置:
    CST30P10D 測(cè)試電路:

    CST30P10D DFN2020-6L 包裝信息:


    請(qǐng)?zhí)峤荒幕拘畔ⅲl(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系!

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