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    MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P溝道增強(qiáng)模式功率Mosfet。提供DFN3x3封裝。

    MXN3349使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，該技術(shù)經(jīng)過專門定制，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能。

MXN3349 一般特性:

VDS=-30V, ID=-50A

RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V

MXN3349 應(yīng)用:

MXN3349 訂購信息:

型號	存儲溫度	封裝	卷盤
MXN3349	-55°C to 150°C	DFN3x3	5000