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單P-MOS

HYG400P10LR1P TO-220FB-3L/HYG400P10LR1B TO-263-2L

    HYG400P10LR1P/B是VDS=-100V,ID=-40A,RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=-10V,RDS(ON)=48mΩ(typ.)@VGS=-4.5V的P溝道MOSFET.HYG400P10LR1P TO-220FB-3L/HYG400P10LR1B TO-263-2L
    HYG400P10LR1P/B提供TO-220FB-3L/TO-263-2L封裝.

    HYG400P10LR1P/B概述：
        HYG400P10LR1P/B是VDS=-100V,ID=-40A,RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=-10V,RDS(ON)=48mΩ(typ.)@VGS=-4.5V的P溝道MOSFET.
        HYG400P10LR1P/B提供TO-220FB-3L/TO-263-2L封裝.

    HYG400P10LR1P/B特性：
    -100V/-40A
    RDS(ON)= 42mΩ(typ.) @ VGS = -10V
    RDS(ON)= 48mΩ(typ.) @ VGS = -4.5V
    100% Avalanche Tested
    Reliable and Rugged
    Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)

    HYG400P10LR1P/B應(yīng)用：
    Portable equipment and battery powered systems
    DC-DC Converters
    Motor control.

    HYG400P10LR1P/B典型應(yīng)用電路與封裝圖：

    請?zhí)峤荒幕拘畔?，發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系！

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