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單N-MOS

PE8330M PDFN3.3x3.3-8L

    PE8330M是VDS=30V,ID=30A,RDS(ON)<11m?@VGS=10V,RDS(ON)<18m?@VGS=4.5V的N溝道MOSFET。
    PE8330M的絲印是PE8330M,PE8330M提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
    The PE8330M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    PE8330M概述:
        PE8330M是VDS=30V,ID=30A,RDS(ON)<11m?@VGS=10V,RDS(ON)<18m?@VGS=4.5V的N溝道MOSFET。
        PE8330M的絲印是PE8330M,PE8330M提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
        The PE8330M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE8330M特性:
    VDS = 30V, ID = 30A
    RDS(ON) < 11m? @ VGS=10V
    RDS(ON) < 18m? @VGS=4.5V
    High Power and current handing capability 
    Lead free product is acquired 
    Surface Mount Package

    PE8330M應(yīng)用:
    PWM applications
    Load switch

    PE8330M典型應(yīng)用及引腳:

    請(qǐng)?zhí)峤荒幕拘畔?,發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系!

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