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單N-MOS

PED30D12MT PDFN3.3x3.3-8L

    PED30D12MT是VDS=30V, ID=12A,RDS(ON)<13m?@VGS=10V,RDS(ON)<19m?@VGS=4.5V的N通道增強(qiáng)模式電源Mosfet。提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
    PED30D12MT采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的RDS(ON)和低柵極電荷??捎糜诟鞣N應(yīng)用。
    PED30D12MT 描述:
        PED30D12MT是VDS=30V, ID=12A,RDS(ON)<13m?@VGS=10V,RDS(ON)<19m?@VGS=4.5V的N通道增強(qiáng)模式電源Mosfet。提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
        PED30D12MT采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的RDS(ON)和低柵極電荷??捎糜诟鞣N應(yīng)用。

    PED30D12MT 一般功能:
    VDS=30V, ID=12A 
    RDS(ON)<13m?@VGS=10V 
    RDS(ON)<19m?@VGS=4.5V 
    高功率和電流處理能力
    獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
    表面安裝組件

    PED30D12MT 應(yīng)用:
    PWM應(yīng)用
    負(fù)載開關(guān)
    電源管理

    PED30D12MT 測(cè)試電路:
    PED30D12MT PDFN3.3x3.3-8L 包裝信息:
    請(qǐng)?zhí)峤荒幕拘畔?,發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系!

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