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單N-MOS

PES230N10K TO-252-2L

    PES230N10K是VDS=100V, ID=50A,RDS(ON)<23m?@VGS=10V,RDS(ON)<33m?@VGS=4.5V的N通道增強模式電源MOSFET。提供TO-252-2L封裝。
    PES230N10K采用深溝槽技術(shù),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。
    PES230N10K 描述:
        PES230N10K是VDS=100V, ID=50A,RDS(ON)<23m?@VGS=10V,RDS(ON)<33m?@VGS=4.5V的N通道增強模式電源MOSFET。提供TO-252-2L封裝。
        PES230N10K采用深溝槽技術(shù),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。

    PES230N10K 一般特性:
    VDS=100V, ID=50A
    RDS(ON)<23m? @VGS=10V
    RDS(ON)<33m? @VGS=4.5V
    高功率和電流處理能力
    獲得無鉛產(chǎn)品
    表面安裝組件

    PES230N10K 應(yīng)用:
    高頻開關(guān)
    同步整流


    PES230N10K 開關(guān)測試電路:
    PES230N10K 開關(guān)波形:
    請?zhí)峤荒幕拘畔?,發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號),我們將會盡快與您聯(lián)系!

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