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單N-MOS

CST10N06 TO252

    CST10N06是BVDSS=60V,RDSON=60mΩ,ID=10A的N-Ch快速切換Mosfets。提供TO252封裝。
    CST10N06是高單元密度溝槽式N溝道MOSFET,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。
    CST10N06符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,并通過了全功能可靠性認(rèn)證。
    CST10N06 描述:
        CST10N06是BVDSS=60V,RDSON=60mΩ,ID=10A的N-Ch快速切換Mosfets。提供TO252封裝。
        CST10N06是高單元密度溝槽式N溝道MOSFET,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。
        CST10N06符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,并通過了全功能可靠性認(rèn)證。

    CST10N06 特性:
    100%EAS保證
    綠色設(shè)備可用
    超低柵極電荷
    出色的CdV/dt效應(yīng)下降
    先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)

    CST10N06 產(chǎn)品概覽:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    60V

    60mΩ

    10A


    CST10N06 TO252 引腳配置:
    CST10N06 測試電路和波形:

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