MXB040N10 Description/描述：
MXB040N10是VDS=100V, ID=128A，RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V的N溝道增強(qiáng)模式功率Mosfet。提供TO-263-3L封裝。
MXB040N10采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和低至10V的柵極電壓操作。該裝置適用于各種各樣的應(yīng)用。
MXB040N10 Features/特征:
VDS=100V, ID=128A
RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V
高功率和電流處理能力
獲得無鉛產(chǎn)品
MXB040N10 Application/應(yīng)用：
不間斷電源
硬開關(guān)和高頻電路
MXB040N10 Pinout/引腳：
MXB040N10 Ordering Information/訂購信息：
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型號(hào)
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存儲(chǔ)溫度
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封裝
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最小數(shù)量
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MXB040N10 |
-55°C to 175°C |
TO-263 |
800 |
MXB040N10 Test Circuits/測試電路：
發(fā)送郵件
商務(wù)QQ客服
13823761625
