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單N-MOS

HYG350N06LA1D/U/V TO-252-2L,TO-252-2L,TO-251-3L,TO-251-3S

    HYG350N06LA1D/U/V是VDS=60V,ID=26A,RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=37mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N通道增強(qiáng)模式Mosfet。
    HYG350N06LA1D/U/V Description/概述：
        HYG350N06LA1D/U/V是VDS=60V,ID=26A,RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=37mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N通道增強(qiáng)模式Mosfet。

    HYG350N06LA1D/U/V Feature/特性：
    60V/26A
    RDS(ON)= 30mΩ(typ.)@VGS = 10V
    RDS(ON)= 37mΩ(typ.)@VGS = 4.5V
    100% Avalanche Tested
    Reliable and Rugged
    Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)

    HYG350N06LA1D/U/V Applications：
    Power Management for DC/DC
    Switching application
    Motor control

    HYG350N06LA1D/U/V Pin Description：

    HYG350N06LA1D/U/V Avalanche Test Circuit：




    HYG350N06LA1D/U/V Device Per Unit：
    Package Type
    Unit
    Quantity

    TO-252-2L

    Tube

    75

    TO-252-2L

    Reel

    2500

    TO-251-3L

    Tube

    75

    TO-251-3S

    Tube

    75
    請(qǐng)?zhí)峤荒幕拘畔ⅲl(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系！

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