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單N-MOS

HYG013N03LS1C2 PDFN5*6-8L

    HYG013N03LS1C2是VDS=30V,ID=150A，RDS(ON)=1.3mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=2.0mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N溝道MOSFET.
    HYG013N03LS1C2提供PDFN5*6-8L封裝.
    HYG013N03LS1C2概述：
        HYG013N03LS1C2是VDS=30V,ID=150A，RDS(ON)=1.3mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=2.0mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N溝道MOSFET.
        HYG013N03LS1C2提供PDFN5*6-8L封裝.

    HYG013N03LS1C2特性：
    VDS=30V,ID=150A
    RDS(ON)=1.3mΩ(typ.)@VGS=10V
    RDS(ON)=2.0mΩ(typ.)@VGS=4.5V
    100% Avalanche Tested
    Reliable and Rugged
    Halogen- Free Devices Available

    HYG013N03LS1C2應(yīng)用：
    Switching Application
    Power Management for DC/DC
    Battery Protection

    HYG013N03LS1C2典型應(yīng)用電路及封裝圖：
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