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N+P-MOS

CST20G04 SOT23-6L

    CST20G04是N-ch:BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A;P-ch:BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P雙溝道快速切換Mosfet。提供SOT23-6L封裝。
    CST20G04是性能最高的溝槽N溝道和P溝道MOSFET,具有極高的單元密度,可為大多數(shù)同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷。
    CST20G04符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到批準。
    CST20G04 描述:
        CST20G04是N-ch:BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A;P-ch:BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P雙溝道快速切換Mosfet。提供SOT23-6L封裝。
        CST20G04是性能最高的溝槽N溝道和P溝道MOSFET,具有極高的單元密度,可為大多數(shù)同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷。
        CST20G04符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到批準。

    CST20G04 特點:
    先進的高細胞密度挖溝技術
    超低柵極電荷
    出色的CdV/dt效應下降
    綠色設備可用

    CST20G04 應用:
    半橋和逆變器的功率管理
    DC-DC轉換器
    負載開關

    CST20G04 產(chǎn)品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    20V

    22

    5A

    -20V

    55

    -3.6A


    CST20G04 SOT 23-6L 引腳配置:
    CST20G04 SOT23-6L封裝信息:
    請?zhí)峤荒幕拘畔?,發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號),我們將會盡快與您聯(lián)系!

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