CST8G02M 描述:
CST8G02M是N-Ch：BVDSS=20V,RDSON=12m?,ID=8A;P-Ch：BVDSS=-20V,RDSON=17m?,ID=-8A的N+P雙通道快速切換Mosfet。提供DFN2020-8L封裝。
CST8G02M是高單元密度溝槽式N溝MOSFET，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。
CST8G02M符合RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，并通過了全功能可靠性認(rèn)證。
CST8G02M 特點(diǎn):
超低柵極電荷
綠色設(shè)備可用
出色的CdV/dt效應(yīng)下降
先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)
CST8G02M 產(chǎn)品概述:
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BVDSS
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RDSON
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ID
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20V |
12mΩ |
8A |
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-20V
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17mΩ |
-8A
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CST8G02M DFN2020-8L 引腳配置:
CST8G02M DFN2020-8L封裝信息:
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13823761625
