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    CST23G12是N-Channel：VDS=20V, ID=3A，RDS(ON)<65m?@VGS=4.5V，RDS(ON)<90m?@VGS=2.5V；P-Channel：VDS=-20V, ID=-2.5A，RDS(ON)<110m?@VGS=-4.5V，RDS(ON)<140m?@VGS=-2.5V的N+P雙通道增強模式電源Mosfet。提供SOT-23-6L封裝。

    CST23G12采用先進的溝槽技術，提供優(yōu)異的RDS（ON）和低柵極電荷?？捎糜诟鞣N應用。

CST23G12 一般特性:

* N-Ch

* VDS=20V, ID=3A

  RDS(ON)<65m?@VGS=4.5V

  RDS(ON)<90m?@VGS=2.5V

* P-Ch

* VDS=-20V, ID=-2.5A

  RDS(ON)<110m?@VGS=-4.5V

  RDS(ON)<140m?@VGS=-2.5V

*高功率和電流處理能力

*獲得無鉛產(chǎn)品

*表面安裝組件

CST23G12 應用：

*PWM應用

*電源管理

CST23G12 Test Circuit：


CST23G12 SOT-23-6L 封裝信息：