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兆易創(chuàng)新:價(jià)格平穩(wěn),MCU進(jìn)入筑底階段

發(fā)布日期:2024-01-22 點(diǎn)擊次數(shù):379
來(lái)源:道合順芯聞
    12月26日,兆易創(chuàng)新在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,在今年三季度末大存儲(chǔ)出現(xiàn)一些價(jià)格反彈,此反彈對(duì)利基存儲(chǔ)有一定的帶動(dòng)效應(yīng),利基存儲(chǔ)價(jià)格也在筑底并有微弱反彈。NOR Flash和SLC Nand Flash價(jià)格基本已經(jīng)趨于平穩(wěn),價(jià)格真正有效的反彈還要再持續(xù)觀察。
    兆易創(chuàng)新DRAM主要為利基型產(chǎn)品,包括小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品,也在積極開(kāi)展8Gb DDR4等其他利基型DRAM產(chǎn)品研發(fā),以補(bǔ)齊整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口利基型DRAM產(chǎn)品線,有效支撐公司DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展,滿足客戶需求。
    其中,SPI NAND Flash產(chǎn)品在消費(fèi)電子、工業(yè)、汽車電子等領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全品類的產(chǎn)品覆蓋,公司Parallel NAND Flash產(chǎn)品可覆蓋1Gb~8Gb四個(gè)容量范圍,為工業(yè)、通訊、以及消費(fèi)類電子提供豐富、高速、高可靠的方案選擇。






















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