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LTK5129概述:
  LTK5129 是一款5.5W、單聲道AB類(lèi)/D類(lèi)工作模式切換功能、超低EMI、無(wú)需濾波器的音頻功率放大芯片。
  LTK5129通過(guò)一個(gè)MODE管腳可以方便地切換為AB類(lèi)模式，完全消除EMI干擾。工作電壓2.5V-5.5V，在D類(lèi)放大器模式下可以提供高于90%的效率，新型的無(wú)濾波器結(jié)構(gòu)可以省去傳統(tǒng)D類(lèi)放大器的輸?shù)屯V波器，從而節(jié)省了系統(tǒng)成本和PCB空間，是便攜式應(yīng)用的理想選擇。
  LTK5129采用獨(dú)有的DRC（Dynamic range control）技術(shù)，降低了大功率輸出時(shí)，由于波形切頂帶來(lái)的失真，相比同類(lèi)產(chǎn)品，動(dòng)態(tài)反應(yīng)更加出色。
  LTK5129采用ESOP-8封裝。

無(wú)濾波的 D 類(lèi)/AB 類(lèi)放大器、低靜態(tài)電流和低 EMI

FM 模式無(wú)干擾

優(yōu)異的爆破聲抑制電路

低底噪、低失真

DRC 動(dòng)態(tài)失真矯正電路

10% THD+N，VDD=5V，4Ω 負(fù)載下，提供高達(dá) 3.3W 的輸出功率

10% THD+N，VDD=5V，2Ω 負(fù)載下，提供高達(dá) 5.5W 的輸出功率

短路電流保護(hù)

欠壓保護(hù)

關(guān)斷電流 < 0.5uA

LTK5129多種功率封裝模式： ESOP-8

過(guò)熱保護(hù)

藍(lán)牙音箱

拉桿音箱

USB 音響

視頻機(jī)

擴(kuò)音器等

LTK5129典型應(yīng)用電路:

LTK5129功放電路管腳圖：

參數(shù)名稱(chēng)	符號(hào)	數(shù)值	單位
工作電壓	Vcc	6.0	V
存儲(chǔ)溫度	Tstg	-65℃-150℃	℃
輸入電壓		-0.3 to +（0.3+ Vcc）	V
功率消耗	PD	見(jiàn)附注1	W
結(jié)溫度		160℃	℃

附注1：最大功耗取決于三個(gè)因素：TJMAX，TA，θJA，它的計(jì)算公式PDMAX=（TJMAX-TA）/θJA，LTK5129的TJMA=150℃。TA為外部環(huán)境的溫度，θJA取決于不同的封裝形式。


LTK5129 電氣參數(shù)

LTK5129 CLASS D 模式：

1）靜態(tài)電氣參數(shù)
MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：

信號(hào)	參數(shù)	測(cè)試條件		最小值	典型值	最大值	單位
VDD	電源電壓			2.5	5	5.5	V
IDD	靜態(tài)電源電流	MODE=VDD；VDD=5V，IO=0A		2	5	8	mA
ISHDN	關(guān)斷電流	VDD=2.5V 到 5.5V				1	uA
FSW	振蕩頻率	VDD=2.5V 到 5.5V			480		kHz
Vos	輸出失調(diào)電壓	VDD=5V，VIN=0V			10		mV
η	效率	THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω；			87		%
		THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω；			90
OTP	過(guò)溫保護(hù)				155		℃
RDSON	靜態(tài)導(dǎo)通電阻	IDS=0.5A  VGS=5V	P_MOSFET		180		mΩ
			N_MOSFET		140

 
2）動(dòng)態(tài)電氣參數(shù)
 MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：

信號(hào)	參數(shù)	測(cè)試條件		最小值	典型值	最大值	單位
Po	輸出功率	THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		3.3		W
			VDD=3.6V		2.4
			VDD=3V		1.8
		THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		2.6		W
			VDD=3.6V		1.8
			VDD=3V		1.2
		THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		5.4	5.5	W
			VDD=3.6V		3.3	3.5
			VDD=3V		2.4	2.6
		THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		4.8	4.9	W
			VDD=3.6V		2.9	3
			VDD=3V		1.4	1.5
THD+N	總諧波失真加噪聲	VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω	f=1kHz		0.12		%
		VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω			0.1
		VDD=5V Po=1W,RL=4Ω	f=1kHz		0.12
		VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω			0.1
PSRR	電源電壓抑制比	VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF			64		dB
SNR	信噪比	VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB			85		dB

 
LTK5129 CLASS AB 模式（ESOP-8封裝）

1）靜態(tài)電氣參數(shù)
MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：

信號(hào)	參數(shù)	測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
VDD	電源電壓		2.5	5	5.5	V
IDD	靜態(tài)電源電流	VDD=5V，IO=0A	6	10	14	mA
ISHDN	關(guān)斷電流	VDD=2.5V 到 5.5V			1	uA
Vos	輸出失調(diào)電壓	VDD=5V，VIN=0V		10		mV
OTP	過(guò)溫保護(hù)			155		℃

   
 
2）動(dòng)態(tài)電氣參數(shù)
 MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：

信號(hào)	參數(shù)	測(cè)試條件		最小值	典型值	最大值	單位
Po	輸出功率	THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		3.3		W
			VDD=3.6V		2.4
			VDD=3V		1.8
		THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω；	VDD=5V		2.6		W
			VDD=3.6V		1.8
			VDD=3V		1.2
		THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		5.4	5.5	W
			VDD=3.6V		3.3	3.5
			VDD=3V		2.4	2.6
		THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω；	VDD=5V		4.8	4.9	W
			VDD=3.6V		2.9	3
			VDD=3V		1.4	1.5
THD+N	總諧波失真加噪聲	VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω	f=1kHz		0.18		%
		VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω			0.15
		VDD=5V Po=1W,RL=4Ω	f=1kHz		0.15
		VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω			0.12
PSRR	電源電壓抑制比	VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF			69		dB
SNR	信噪比	VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB			82		dB