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CLASS AB/D Switchable Power Amplifier

CS8571E

    CS8571E是一款FM無干擾、AB類功放D類功放兩種模式可切換的5.5W單聲道音頻放大器。
    CS8571E采用獨(dú)創(chuàng)的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技術(shù),能提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力,在不加任何輔助設(shè)計時,在FCCPart15 Class B標(biāo)準(zhǔn)下仍然具有超過20dB的裕量.
    CS8571E內(nèi)置了過流保護(hù),短路保護(hù)和過熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。
    CS8571E提供了帶散熱片的ESOP8封裝形式供客戶選擇,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
    CS8571/CS8571E規(guī)格書下載

    CS8571/CS8571E概述:
        CS8571E是一款FM無干擾、AB類功放D類功放兩種模式可切換的5.5W單聲道音頻放大器。
        CS8571E采用獨(dú)創(chuàng)的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技術(shù),能提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力,在不加任何輔助設(shè)計時,在FCCPart15 Class B標(biāo)準(zhǔn)下仍然具有超過20dB的裕量.
        CS8571E無需濾波器的PWM調(diào)制結(jié)構(gòu)及增益內(nèi)置方式減少了外部元件、PCB面積和系統(tǒng)成本,并簡化了設(shè)計。高達(dá)90%的效率,快速啟動時間和纖小的封裝尺寸使得CS8571E成為便攜式音頻產(chǎn)品的絕佳選擇。
        CS8571E內(nèi)置了過流保護(hù),短路保護(hù)和過熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。
        CS8571E提供了帶散熱片的ESOP8封裝形式供客戶選擇,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
        CS8571E在D類模式下無需濾波器的PWM調(diào)制結(jié)構(gòu)減少了外部元件數(shù)目,PCB面積和系統(tǒng)成本,并且簡化了設(shè)計。芯片內(nèi)置了過流保護(hù),過熱保護(hù)和欠壓保護(hù)功能,這些功能保證了芯片在異常的工作條件下關(guān)斷芯片,有效地保護(hù)了芯片不被損壞,當(dāng)異常條件消除后,CS8571E有自恢復(fù)功能可以讓芯片重新工作。輸出晶體管的開關(guān)工作方式?jīng)Q定了CS8571E D類放大器的高效率。
        在D類模式下,輸出晶體管就像是一個電流調(diào)整開關(guān),切換過程中消耗的額外功率基本可以忽略不計。輸出級相關(guān)的功率損耗主要是由MOSFET導(dǎo)通電阻與電源電流產(chǎn)生的I R。
        CS8571E的效率可達(dá)90%。CS8571E的D類模式采用無需濾波器的PWM調(diào)制方式,省去了傳統(tǒng)D類放大器的LC濾波器,提高了效率,為便攜式設(shè)備的音頻子系統(tǒng)提供了一個更小面積,更低成本的實現(xiàn)方案。
        CS8571E內(nèi)置專有的時序控制電路,實現(xiàn)全面的Pop &Click抑制,可以有效地消除系統(tǒng)在上電,下點,Wake up和Shutdown操作時可能會出現(xiàn)的瞬態(tài)噪聲。
        CS8571E在應(yīng)用的過程中,當(dāng)芯片發(fā)生輸出管腳和電源或地短路,或者輸出之間的短路故障時,過流保護(hù)電路會關(guān)斷芯片以防止芯片被損壞。短路故障消除后,CS8571自動恢復(fù)工作。當(dāng)芯片溫度過高時,芯片也會被關(guān)斷。溫度下降后,CS8571E可以繼續(xù)正常工作。當(dāng)電源電壓過低時,芯片也將被關(guān)斷,電源電壓恢復(fù)后,芯片會再次啟動。B類,D類切換控制功能使用MODE管腳控制。腳 置 高 的 時 候 ,CS8571E工作在D類的模式之下 ;MODE管腳置低的時候,CS8571E工作在AB類的模式之下.CS8571E是一款高性能的AB類/D類集成的音頻放大器,電源端需要加適當(dāng)?shù)碾娫垂╇娙ヱ铍娙輥泶_保其高效率和最佳的總諧波失真。同時為得到良好的。去耦電容在布局上應(yīng)該盡可能的靠近芯片的V DD 放置。把去耦電容放在與CS8571E較近的地方對于提高CS8571E的效率非常重要。因為器件和電容間的任何電阻或自感都會導(dǎo)致效率的降低。如果希望更好的濾掉低頻噪音,則需要根據(jù)具體應(yīng)用添加一個10uF或者更大的去耦電容。


    CS8571/CS8571E特性:
    輸出功率
        P at 10% THD+N, V DD = 5V O
        RL = 4 Ω 3.40W(典型值)
        RL = 2 Ω 5.50W(典型值)
        P at 10% THD+N, V DD = 3.6V O
        RL = 4 Ω 1.70W(典型值)
        RL = 2 Ω 2.42W(典型值)
    AB類/D類工作模式切換功能
    獨(dú)創(chuàng)的AERC技術(shù),提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力
    優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力
    優(yōu)異的低噪抑制功能
    工作電壓范圍:2.5V到5.5V
    無需濾波的Class-D結(jié)構(gòu)
    高達(dá)90%的效率
    高電源抑制比(PSRR):在217Hz下為72dB
    快速的啟動時間 (35ms)
    低靜態(tài)電流 (3mA)
    低關(guān)斷電流 (<0.1µA)
    過流保護(hù),短路保護(hù)和過熱保護(hù)
    CS8571/CS8571E符合Rohs標(biāo)準(zhǔn)的無鉛封裝


    CS8571/CS8571E典型應(yīng)用電路圖:

    CS8571/CS8571E引腳排列

     
    CS8571/CS8571E引腳定義


    CS8571/CS8571E封裝圖:
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