CS5230概述:
CS5230E是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類單聲道音頻功放,可以為4Ω的負(fù)載提供最高5W的連續(xù)功率;
CS5230E芯片內(nèi)部固定的28倍增益,有效的減少了外圍元器件的 數(shù)量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式即可保證D類模式下強(qiáng)勁的功率輸出,又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下,消除功放對(duì)系統(tǒng)的干擾;
CS5230E具有獨(dú)特的防破音(NCN)功 能,可根據(jù)輸出信號(hào)的大小自動(dòng)調(diào)整功放的增益,實(shí)現(xiàn)更加舒適的聽覺感受,CS5230E還具備電源自適應(yīng)能力,當(dāng)電源電壓低的時(shí)候,功放會(huì)自動(dòng)降低增益,從而減少功放的輸出功率.
CS5230E的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設(shè)備中,CS5230E是理想的音頻子系統(tǒng)的功放解決方案.CS5230E的全差分架構(gòu)和極高的PSRR有 效地提高了CS5230E對(duì)RF噪聲的抑制 能力。
另外CS5230E內(nèi)置了過流保護(hù),短路保護(hù)和過熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。
CS5230提供了ESOP10的封裝類型,其額定的工作溫度 范圍為-40℃至85℃。
CS5230E芯片內(nèi)部固定的28倍增益,有效的減少了外圍元器件的 數(shù)量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式即可保證D類模式下強(qiáng)勁的功率輸出,又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下,消除功放對(duì)系統(tǒng)的干擾;
CS5230E具有獨(dú)特的防破音(NCN)功 能,可根據(jù)輸出信號(hào)的大小自動(dòng)調(diào)整功放的增益,實(shí)現(xiàn)更加舒適的聽覺感受,CS5230E還具備電源自適應(yīng)能力,當(dāng)電源電壓低的時(shí)候,功放會(huì)自動(dòng)降低增益,從而減少功放的輸出功率.
CS5230E的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設(shè)備中,CS5230E是理想的音頻子系統(tǒng)的功放解決方案.CS5230E的全差分架構(gòu)和極高的PSRR有 效地提高了CS5230E對(duì)RF噪聲的抑制 能力。
另外CS5230E內(nèi)置了過流保護(hù),短路保護(hù)和過熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。
CS5230提供了ESOP10的封裝類型,其額定的工作溫度 范圍為-40℃至85℃。
CS5230特性:
集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式GF類音頻功放
先進(jìn)的電源自適應(yīng)功能,
輸出功率
Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 5.2W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 4.3W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 4.2V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 4.8W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 4.1W(NCN OFF@D MODE)
Po at VBAT = 3.6V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% 3.45W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1% 3.00W(NCN OFF@D MODE)
輸入電壓范圍:2.7~5.5V
關(guān)斷電流: <1μA
待機(jī)電流: 3mA
D類調(diào)制頻率: 300KHz
防破音模式開關(guān)
AERC專利技術(shù),提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力
優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力
高的電源抑制比(PSRR):在217Hz下為-80dB
過溫保護(hù)
過壓保護(hù)
CS5230提供ESOP10封裝
CS5230應(yīng)用:
藍(lán)牙音箱
便攜式音頻設(shè)備
CS5230典型應(yīng)用原理圖:
CS5230引腳分布:
CS5230典型應(yīng)用原理圖:
CS5230引腳分布:
CS5230引腳定義:
CS5230原理框圖:
CS5230封裝圖:
CS5230原理框圖:
CS5230封裝圖: