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雙N-MOS

CST6800B SOT23-6L

    CST6800B是BVDSS=30V,RDSON=29mΩ,ID=4.5A的雙N溝道快速切換Mosfet。提供SOT23-6L封裝。
    CST6800B采用先進的溝槽技術和設計,提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS(ON)。它可用于各種應用。
    CST6800B 描述:
        CST6800B是BVDSS=30V,RDSON=29mΩ,ID=4.5A的雙N溝道快速切換Mosfet。提供SOT23-6L封裝。
        CST6800B采用先進的溝槽技術和設計,提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS(ON)。它可用于各種應用。

    CST6800B 特點:
    綠色設備可用
    超低柵極電荷
    出色的Cdv/dt效應下降
    先進的高細胞密度溝槽技術

    CST6800B 產(chǎn)品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    29

    4.5A


    CST6800B Dual SOT23-6L 引腳配置:
    CST6800B SOT23-6包裝信息:



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