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雙N-MOS

CST306D PDFN3333-8L

    CST306D是BVDSS=30V,RDSON=5.0mΩ,ID=40A的雙N-Ch快速切換Mosfets。提供PDFN3333-8L封裝。
    CST306D是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的RDSON和柵極電荷。
    CST306D符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,并通過了全功能可靠性認(rèn)證。
    CST306D 說明:
        CST306D是BVDSS=30V,RDSON=5.0mΩ,ID=40A的雙N-Ch快速切換Mosfets。提供PDFN3333-8L封裝。
        CST306D是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的RDSON和柵極電荷。
        CST306D符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,并通過了全功能可靠性認(rèn)證。

    CST306D 特性:
    100%EAS保證
    綠色設(shè)備可用
    超低柵極電荷
    出色的CdV/dt效應(yīng)下降
    先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)

    CST306D 產(chǎn)品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    5.0mΩ

    40A


    CST306D PDFN3333-8L 引腳配置:
    CST306D雙PDFN3333-8L包裝外形數(shù)據(jù):



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