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雙N-MOS

PE2606 SOP8

    PE2606是N-Channel：VDS=20V,ID=6.8A，RDS(ON)<21m?@VGS=4.5V，RDS(ON)<28m?@VGS=2.5V；P-Channel：VDS=-20V,ID=-7A，RDS(ON)<35m?@VGS=-4.5V，RDS(ON)<45m?@VGS=-2.5V的雙溝道MOSFET.
    PE2606提供SOP8封裝。
    The PE2606 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications.

    PE2606概述：
        PE2606是N-Channel：VDS=20V,ID=6.8A，RDS(ON)<21m?@VGS=4.5V，RDS(ON)<28m?@VGS=2.5V；P-Channel：VDS=-20V,ID=-7A，RDS(ON)<35m?@VGS=-4.5V，RDS(ON)<45m?@VGS=-2.5V的雙溝道MOSFET.
        PE2606提供SOP8封裝。
        The PE2606 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications.

    PE2606特性：
    N-Channel
    VDS=20V,ID=6.8A 
    RDS(ON)<21m?@VGS=4.5V 
    RDS(ON)<28m?@VGS=2.5V 
    P-Channel
    VDS=-20V, ID = -7A 
    RDS(ON)<35m?@VGS=-4.5V 
    RDS(ON)<45m?@VGS=-2.5V 
    High Power and current handing capability 
    Lead free product is acquired 
    Surface Mount Package

    PE2606典型應(yīng)用及引腳圖:

    請(qǐng)?zhí)峤荒幕拘畔?，發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系！

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