NS4150C概述：
NS4150C是一款超低EMI、無需濾波器3W單聲道D類音頻功率放大器。NS4150C采用先進(jìn)的技術(shù)，在全帶寬范圍內(nèi)極大地降低了EMI干擾，最大限度地減少對其他部件的影響。
NS4150C內(nèi)置過流保護(hù)、過熱保護(hù)及欠壓保護(hù)功能，有效地保護(hù)芯片在異常工作狀況下不被損壞。并且利用擴(kuò)頻技術(shù)充分優(yōu)化全新電路設(shè)計，高達(dá)90%的效率更加適合于便攜式音頻產(chǎn)品。
NS4150C無需濾波器的PWM調(diào)制結(jié)構(gòu)及增益內(nèi)置方式減少了外部元件、PCB面積和系統(tǒng)成本。
NS4150C提供SOP8封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
NS4150C特性：
工作電壓范圍：3.0V～5.0V
輸出功率：2.8W（5V/4?,THD=10%）
0.1%THD（0.5W/3.6V）
高達(dá) 88%的效率
高 PSRR：-80dB（217Hz）
無需濾波器 Class-D 結(jié)構(gòu)
優(yōu)異的全帶寬 EMI 抑制能力
優(yōu)異的“上電，掉電”噪聲抑制
低靜態(tài)電流：4mA（3.6V 電源、No load）
過流保護(hù)、過熱保護(hù)、欠壓保護(hù)
NS4150C提供SOP8封裝
NS4150C應(yīng)用：
平板電腦
行車記錄儀
藍(lán)牙音箱
NS4150C典型應(yīng)用電路：
| 編號 | 管腳名稱 | 管腳描述 |
| 1 | CTRL | 工作模式控制，低電平時 Shutdown |
| 2 | Bypass | 內(nèi)部共模電壓旁路電容腳，接 1uF 電容至 GND |
| 3 | INP | 音頻輸入正極 |
| 4 | INN | 音頻輸入負(fù)極 |
| 5 | VoN | 音頻輸出負(fù)極 |
| 6 | VCC | 電源輸入及音頻功率管供電腳 |
| 7 | GND | 地 |
| 8 | VoP | 音頻輸入正極 |
NS4150C是一款超低EMI、無需濾波器 3W單聲道D類音頻功率放大器。在5V電源下，能夠向4?負(fù)載提供3W的功率，并具有高達(dá)90%的效率。NS4150C采用先進(jìn)的技術(shù)，在全帶寬范圍內(nèi)極大地降低了EMI干擾，最大限度地減少對其他部件的影響。
NS4150C無需濾波器的PWM調(diào)制結(jié)構(gòu)及增益內(nèi)置方式減少了外部元件數(shù)目、PCB面積和系統(tǒng)成本，利用擴(kuò)展頻譜技術(shù)充分優(yōu)化全新電路設(shè)計。芯片內(nèi)置過流保護(hù)、過熱保護(hù)和欠壓保護(hù)功能，在異常工作條件下關(guān)斷芯片，有效地保護(hù)芯片不被損壞，當(dāng)異常條件消除后，NS4150C自動恢復(fù)工作。
NS4150C 采用無需輸出濾波器的 PWM 調(diào)制方式，省去了傳統(tǒng) D 類放大器的 LC 濾波器， 提高了效率，提供了一個更小面積，更低成本的實現(xiàn)方案。
NS4150C上電、掉電噪聲抑制：
NS4150C 內(nèi)置上電，掉電噪聲抑制電路， 有效地消除了系統(tǒng)在上電、 下電、喚醒和關(guān)斷操作時可能出現(xiàn)的瞬態(tài)噪聲。
NS4150C EMI 增強(qiáng)技術(shù)：
NS4150C 內(nèi)置 EMI 增強(qiáng)技術(shù)。 采用先進(jìn)的技術(shù)，在全帶寬范圍內(nèi)極大地降低了 EMI 干擾，最大限度地減少對其他部件的影響
NS4150C 效率：
NS4150C 利用擴(kuò)展頻譜技術(shù)充分優(yōu)化全新 D 類放大器的電路設(shè)計，以提高效率。最高可達(dá) 88%的效率更加適合于便攜式音頻產(chǎn)品。
NS4150C 保護(hù)電路：
當(dāng)芯片發(fā)生輸出引腳之間的短路故障時，過流保護(hù)電路會關(guān)斷芯片以防止芯片被損壞。短路故障 消除后，NS4150C 自動恢復(fù)工作。當(dāng)芯片溫度過高時，芯片也會被關(guān)斷。 溫度下降后，NS4150C 繼續(xù)正常工作。當(dāng)電源電壓過低時，芯片同樣會被關(guān)斷，電源電壓恢復(fù)后，芯片會再次啟動。
NS4150C 電源去耦電容：
電源端加適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙菘梢源_保器件的高效率及最佳的 THD+N 性能， 同時為得到良好的高頻 瞬態(tài)性能，希望電容的 ESR 值要盡量小。一般使用 1uF 的陶瓷電容將 VDD 旁路到地。去耦電容在布 局上應(yīng)盡可能的靠近芯片的 VDD 放置。如果希望更好地濾除低頻噪聲，則需要根據(jù)具體應(yīng)用添加一個 10uF 或更大的去耦電容。
NS4150C磁珠與電容：
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