雷卯電子說,一般而言,ESD保護(hù)元件的分類可以通過其保護(hù)策略與方向性來進(jìn)行,主要包括壓敏電阻、聚合物和瞬態(tài)電壓抑 制器(TVS)等,如表1所示。在這幾種保護(hù)元件中,壓敏電阻在低電壓時,呈現(xiàn)出高電阻,其中的每個小型二極管兩端的電壓都相當(dāng)?shù)停瑫r電流也相當(dāng)??;而在較高電壓時,其中的獨立二極管開始導(dǎo)通,同時壓敏電阻的電阻會下降。從表1中我們也可以看出壓敏電阻為雙向保護(hù)元件。而對于帶導(dǎo)電粒子的聚合物而言,在正常電壓下,這些材料擁有相當(dāng)高的電阻,但當(dāng)發(fā)生ESD沖擊時,導(dǎo)電粒子間的小間隙會成為突波音隙陣列,從而帶來低電阻路徑。
瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)則為采用標(biāo)準(zhǔn)與齊納二極管特性設(shè)計的硅芯片元件。TVS元件主要針對能夠以低動態(tài)電阻承載大電流的要求進(jìn)行優(yōu)化,由于TVS元件通常采用集成電路(IC)方式生產(chǎn),因此我們可以看到各種各樣的單向、雙向及以陣列方式排列的單芯片產(chǎn)品。
附件2:常見ESD保護(hù)元件分類
利用屏幕截圖和TLP進(jìn)行ESD保護(hù)元件的大電流性能鑒定
Ashton博士說在正常工作條件下,ESD保護(hù)元件應(yīng)該保持在不動作狀態(tài),同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響,這可以通過維持低電流以及足以在特定數(shù)據(jù)傳輸速率下維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的低電容值來達(dá)成。而在ESD應(yīng)力沖擊或者說大電流沖擊條件下,ESD保護(hù)元件的第一個要求就是必須能夠正常工作,要有夠低的電阻以便能夠限制受保護(hù)點的電壓;其次,必須能夠快速動作,這樣才能使上升時間低于納秒的ESD沖擊上升時間。
眾所周知,對于電子系統(tǒng)而言,它必須能夠在IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)測試條件下存續(xù)。雖然大部分的ESD保護(hù)元件都宣稱能夠承受IEC 61000-4-2所指定的應(yīng)力沖擊等級,如8 kV或第四級(Class 4),但業(yè)界卻沒有公認(rèn)的ESD保護(hù)元件大電流抑制特性測試的合格標(biāo)準(zhǔn)。對此,雷卯電子給出了自己的定義,也就是在±10 kV應(yīng)力電壓 (高于8 kV)測試下,被測器件仍然符合其數(shù)據(jù)表規(guī)范,且器件特性沒有顯著變化。
不過,要比較不同ESD保護(hù)元件的大電流抑制特性,還需要對其進(jìn)行測試鑒定。而通過對不同ESD保護(hù)元件施加大電流沖擊所產(chǎn)生的波形的屏幕截圖對比,是重要的第一步。
附件4:時域反射(TDR) TLP測試的結(jié)構(gòu)示意圖
在這種情況下,采用傳輸線路脈沖(TLP)方法就是很好的下一步。所謂的TLP測試,就是一種利用矩形短脈沖(50~200 ns)來測量ESD保護(hù)元件的電流-電壓特性曲線的方法。這個短脈沖用來模擬作用于保護(hù)元件的短ESD脈沖,而恒定阻抗的傳輸線路可以生成恒定幅度的方波。
TLP測試通過方波測試脈沖加到待測器件(DUT)的兩個引腳之間進(jìn)行測試。TLP測試前要先對電路中的傳輸線路充電,測試時將被測器件接入,傳輸線路通過被測器件放電。改變電路和輸入電壓和傳輸線路的長度可以模擬在不同能量中的ESD脈沖,從而得到器件的ESD大電流抑制能力。TLP測試先從小電壓脈沖開始,隨后連續(xù)增加直到獲得足夠多的數(shù)據(jù)點,以作出完整的I-V曲線。通常測試脈沖的幅度會加大到使DUT徹底損傷為止,作而獲得其精確的允許最大脈沖電流。
總的來看,ESD保護(hù)元件的TLP測試方法優(yōu)勢突出,不僅可以確認(rèn)屏幕截圖數(shù)據(jù),還可用于解析ESD保護(hù)元件的基礎(chǔ)參數(shù),非常適用于對不同保護(hù)元件進(jìn)行對比。
結(jié)合ESD脈沖測試和TLP測試,我們可以得出結(jié)論,在不同ESD保護(hù)元件中,TVS元件,特別是半導(dǎo)體的TVS元件的大電流導(dǎo)電率極佳,且在重復(fù)應(yīng)力條件下仍能維持優(yōu)異性能,不存在壓敏電阻或聚合物那樣的使用增多后會出現(xiàn)性能下降的問題;至于其在電容方面的不足,也隨著新的低電容設(shè)計的出現(xiàn),而消除了早前的大電容問題。
附件3: TVS元件與壓敏電阻在8kV IEC 61000-4-2應(yīng)力沖擊測試下的輸出波形對比
圖3的屏幕截圖就是這樣一個范例。從圖中可以看出,半導(dǎo)體的TVS元件可以迅速將ESD應(yīng)力降低,即從8 kV靜電電壓鉗位到5至6 V的水平;但壓敏電阻的曲線則下降得很慢,而且無法降到很低的水平。該曲線表明,TVS器件的恢復(fù)時間非常短,經(jīng)過TVS器件泄漏到后面電路的能量也非常少,特別適合于便攜式設(shè)備的應(yīng)用。 而在多重應(yīng)力條件下,兩者的差別就表現(xiàn)得更為突出。由于TVS采用二極管工作原理,受到電擊后,會立即擊穿,然后關(guān)閉,對器件沒有損傷,因此可以說沒有壽命限制。對于壓敏電阻而言,它采用的是物理吸收原理,每經(jīng)過一次ESD事件,材料就會受到一定的物理損傷,形成無法恢復(fù)的漏電通道;而且,要達(dá)到更好的吸收效果,就要使用更多的材料,使其體積增加,進(jìn)而限制了在今天小型化產(chǎn)品當(dāng)中的應(yīng)用。
有鑒于此,雷卯電子打了一個比方,也就是在ESD保護(hù)方面,壓敏電阻保護(hù)施展的是“少林功夫”,用“身體(壓敏電阻)”去硬扛,會讓自己“很受傷”,而TVS耍的是“太極拳”,在ESD應(yīng)力沖擊IC之前,就將沖擊力給“引導(dǎo)開”或“消減掉”。
兩相對比,其結(jié)果是在施加1,000次8kV IEC 61000-4-2 ESD脈沖條件下,半導(dǎo)體的TVS元件的漏電流小于0.1 μA,而壓敏電阻在少于20個ESD脈沖下漏電流就會超過100 μA。由此可見,在重復(fù)ESD應(yīng)用作用下,TVS仍能維持極高的性能,而壓敏電阻的性能會隨之下降,聚合物也面臨著跟壓敏電阻類似的問題。
不過,用示波器對不同保護(hù)元件在ESD應(yīng)力沖擊測試下的大電流抑制特性或者說是I-V曲線進(jìn)行屏幕截圖對比也存在不足之處。首先便是這種屏幕截圖上的V(t)與I(t)的變化非常復(fù)雜,且并不能測量擊穿電壓、維持電壓、維持電流以及二次擊穿電流等基礎(chǔ)參數(shù),而通過對這些參數(shù)的分析可以找到電路設(shè)計和工藝的弱點。