有声小说在线收听网,梦入神机,已完结小说排行榜

技術(shù)分享

模擬IP集成中的常見芯片問題

發(fā)布時(shí)間：2023-11-07 11:18:35 瀏覽：737次

盡管過去十年人們擔(dān)心摩爾定律終會(huì)走到盡頭，但微電子行業(yè)通過持續(xù)的創(chuàng)新和創(chuàng)造力，繼續(xù)適應(yīng)新的物理約束和產(chǎn)品要求。大部分創(chuàng)意能量都投入到了模擬、射頻和混合信號(hào)模塊作為嵌入式 IP 的開發(fā)中。

圖 1該框圖突出顯示了多媒體 SoC 設(shè)計(jì)。P2F Semi

現(xiàn)在可用的模擬/射頻/混合信號(hào) IP 的選擇既廣泛又深入。人們可以在以下主要類別中找到大量 7 nm（有時(shí)甚至是 5 nm）的硬件模塊：

PLL 和 DLL：提供多種速度、抖動(dòng)和功率規(guī)格

DAC 和 ADC：分辨率為 8 位至 24 位，速率高達(dá) 300 MSPS

PHY 和 SerDes：針對(duì)廣泛的市場(chǎng)選擇，例如無線（Wi-Fi 和 5G）、網(wǎng)絡(luò)（LAN、WAN 和存儲(chǔ)）、計(jì)算（USB、PCIe、MIPI）和內(nèi)存（DDR，包括 G 和 LP 變體，以及 HBM 和許多其他）

可以組裝更小的組件來創(chuàng)建個(gè)性化模擬前端 (AFE)、電源管理功能和射頻模塊

該行業(yè)不斷取得工藝技術(shù)進(jìn)步，以支持對(duì)更高門數(shù)、更低功耗、更高性能和更多功能的永無止境的需求。其中包括三阱隔離、絕緣體上硅、P+ 保護(hù)環(huán)、FinFET 和溝槽隔離。其中許多功能促進(jìn)了我們今天看到的模擬、射頻和混合信號(hào) IP 的激增。這些基板的添加還減少了設(shè)計(jì)人員在超深亞微米領(lǐng)域一直面臨的一些復(fù)雜問題的嚴(yán)重程度，例如隱藏在轉(zhuǎn)換速率中的模擬噪聲源、阻抗匹配和端接復(fù)雜性以及支持巨大帶寬的電路。

然而，面對(duì) 16 nm 及以下 SoC 設(shè)計(jì)中與模擬電路并排放置的大量門數(shù)，即使是新穎的工藝增強(qiáng)也顯得不足。事實(shí)上，與模擬/射頻宏非常接近的大型高性能數(shù)字模塊帶來的信號(hào)和電源完整性挑戰(zhàn)正在從芯片擴(kuò)展到封裝和 PCB，而這兩者都在努力跟上硅技術(shù)進(jìn)步的步伐。SoC 設(shè)計(jì)人員越來越發(fā)現(xiàn)自己被迫將工作范圍擴(kuò)大到其他兩個(gè)領(lǐng)域，以確保他們的芯片設(shè)計(jì)能夠按預(yù)期運(yùn)行。

這個(gè)由多部分組成的文章系列探討了嵌入式模擬和 RF IP 核如何對(duì)芯片、封裝和 PCB 功能產(chǎn)生負(fù)面影響，其影響是多種多樣的。我們還將討論如何在所有三個(gè)層面上防范這些問題，以及這些解決方案如何相輔相成。

硅實(shí)踐

在過去的二十年里，為模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)創(chuàng)建統(tǒng)一的工具和方法流程的嘗試迄今為止已被證明是徒勞的。然而，人們對(duì)模擬流程的基本輪廓達(dá)成了普遍共識(shí)，如圖2所示。

圖 2顯示基本模擬設(shè)計(jì)流程的視圖。P2F Semi

盡管流程看起來相當(dāng)簡(jiǎn)單，但細(xì)節(jié)決定成敗。

模擬電路對(duì)電路的布局和布線方式非常敏感。設(shè)計(jì)規(guī)則（走線和通孔間距、差分信號(hào)和額外接地引腳）有助于避免或至少減少導(dǎo)致 EMI 問題的基板耦合和鄰近效應(yīng)。這就是為什么設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 是布局后物理驗(yàn)證工作的一部分。布局與原理圖 (LVS) 檢查也是驗(yàn)證預(yù)期連接性的同一步驟的一部分。

寄生參數(shù)提取直接影響潛在耦合源的識(shí)別，寄生參數(shù)的反向注釋通常會(huì)導(dǎo)致原理圖和布局的變化。不幸的是，這將影響時(shí)序、動(dòng)態(tài)范圍、負(fù)載、增益和功率，并產(chǎn)生一組全新的寄生效應(yīng)。因此，返回設(shè)計(jì)流程開始的迭代循環(huán)是一種悲劇性的必然，這就是為什么模擬設(shè)計(jì)被認(rèn)為更像是一門藝術(shù)而不是一門科學(xué)。

模擬塊的集成

因此，將終的模擬模塊集成到整個(gè) ASIC/SoC 設(shè)計(jì)中會(huì)帶來一系列全新的問題。對(duì)于數(shù)字和模擬電路模塊，芯片布局規(guī)劃將受到每個(gè)模塊的位置、引腳布局、I/O 位置、關(guān)鍵路徑、電源和信號(hào)分布以及芯片尺寸及其縱橫比的限制。模擬 IP 對(duì)這些問題中的大多數(shù)都特別敏感，而模擬模塊也是硬 MAC 的事實(shí)使上述所有問題變得復(fù)雜。

一旦放置了芯片的模塊，布線實(shí)踐包括首先實(shí)現(xiàn)所有關(guān)鍵路徑，無論是模擬還是數(shù)字。然而，當(dāng)涉及非關(guān)鍵路徑時(shí)，模擬信號(hào)應(yīng)優(yōu)先。此外，無論給定的模擬信號(hào)是否至關(guān)重要，所有模擬布線都需要在匹配寄生效應(yīng)、化耦合效應(yīng)和避免過多的 IR 壓降方面進(jìn)行特殊考慮。它是通過采用模擬信號(hào)路由的各種屏蔽技術(shù)、保持走線短、通過直接的路由、差分信號(hào)等路由返回信號(hào)路徑來實(shí)現(xiàn)的。

除了這些在片上集成模擬內(nèi)容的廣泛方法之外，不同類別的模擬電路也可能需要特別注意。DAC 和 ADC 就是一個(gè)完美的例子。

使用 DAC 或 ADC 時(shí)，除了其分辨率和采樣率之外，還有一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，即其規(guī)格信噪比 (SNR)、有效位數(shù) (ENOB) 額定值和功耗。遵循奈奎斯特采樣定理（該定理指出，模擬信號(hào)的充分?jǐn)?shù)字再現(xiàn)需要以超過模擬 F max的 2 倍的采樣率進(jìn)行采樣）本身就會(huì)給高性能應(yīng)用帶來帶寬、功耗和位同步挑戰(zhàn)。

從采樣的角度來看，無線尤其成問題，而音頻通常對(duì)分辨率要求。這就是 ENOB 等參數(shù)具有特殊相關(guān)性的地方。無論給定 DAC 或 ADC 的宣傳分辨率是多少，將此類塊推過其 ENOB 都會(huì)降低其 SNR 性能，從而對(duì)該塊的真正有用性產(chǎn)生潛在的重大影響。

重要的是，模擬模塊設(shè)計(jì)和集成到 SoC 或 ASIC 環(huán)境中根本不像芯片的數(shù)字部分那樣“干凈”和可預(yù)測(cè)的工程工作。經(jīng)驗(yàn)、靈活性和適應(yīng)性是成功的決定因素。