4、電感和電容構(gòu)成低通濾波器時(shí),由于電感和電容都是儲(chǔ)能器件,因此兩者的配合可能產(chǎn)生自激;磁珠是耗能器件,與電容協(xié)同工作時(shí),不會(huì)產(chǎn)生自激。
下圖為某廠家磁珠特性參數(shù)及頻率特性曲線:
磁珠的選型
磁珠在選型需要考慮噪聲干擾和通流兩方面因素。
(1)噪聲干擾方面需要考慮噪聲的頻率和強(qiáng)度。不同型號(hào)的磁珠有不同的頻率阻抗曲線。在選型時(shí)要選擇噪聲中心頻率對(duì)應(yīng)的阻抗較高的磁珠,從而更好地抑制噪聲。噪聲干擾越大,需要選擇阻抗更高的磁珠。但高阻抗磁珠也會(huì)對(duì)有用信號(hào)產(chǎn)生較大的衰減,所以阻抗并不是越高越好,需要綜合考慮信噪比。目前沒有明確的計(jì)算公式和選擇標(biāo)準(zhǔn),需要根據(jù)實(shí)際效果來選型,一般交流阻抗在120Ω~600Ω之間的磁珠比較常用。例如,要求對(duì)于100MHz的、300mVpp的噪聲,經(jīng)過磁珠以后達(dá)到50mVpp的水平,假設(shè)負(fù)載為45Ω,那么就應(yīng)該選225Ω@100MHz,DCR
(2)通流方面需要考慮額定電流的大小。直流電阻越大的磁珠一般額定電流越小。選型時(shí)需要根據(jù)實(shí)際情況來進(jìn)行。例如,系統(tǒng)電源的輸出電壓為3.3V,負(fù)載模塊的電源輸入需要的額定電流為300mA,負(fù)載模塊的輸入電源需要的輸入電壓不能低于3.0V。該負(fù)載模塊的電源輸入管腳需要選擇直流電阻小于1Ω的磁珠,再考慮降額設(shè)計(jì),一般選擇0.5Ω的磁珠。
所以,磁珠選型時(shí),可以按下列步驟進(jìn)行。
(1)首先需要確定需要濾除的噪聲的頻段,然后在這個(gè)頻段內(nèi)選擇合適的交流阻抗(可以通過仿真得到大概的阻抗范圍,仿真模型可以咨詢廠商)。
(2)確定該電路通過的最大電流。電路流過的電流決定了磁珠的額定電流,額定電流確定后,就可以根據(jù)后級(jí)電路需要的電壓范圍來計(jì)算磁珠的DCR范圍。
(3)選擇封裝。封裝可以根據(jù)單板的布局和結(jié)構(gòu)等實(shí)際情況進(jìn)行選擇。但需要注意的是,磁珠的阻抗在加電壓后與規(guī)格書上的阻抗是有差別的。要正確地選擇磁珠,必須注意以下幾點(diǎn)。
①不需要的信號(hào)的頻率范圍為多少?
②噪聲源是什么?
③需要多大的噪聲衰減?
④環(huán)境條件是什么(溫度、直流電壓、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度)?
⑤電路和負(fù)載阻抗是多少?
最后,磁珠選型時(shí)還需要注意降額使用。磁性器件的降額標(biāo)準(zhǔn)如表所示。