TOLT是TOLx系列中采用TO有引腳頂端冷卻方式的一種封裝。通過頂端冷卻,漏極暴露在封裝表面,使95%的熱量能夠直接散發(fā)到散熱器上,與TOLL封裝相比,RthJA提高了20%,RthJC提高了50%。
新的三相智能電機(jī)驅(qū)動芯片,可以用來開發(fā)出采用無刷直流(BLDC)或永磁同步(PMS)電機(jī)的高性能電機(jī)驅(qū)動器。這些設(shè)計(jì)特別適合于移動機(jī)器人、無人機(jī)和電動工具應(yīng)用。
圖2:柵極驅(qū)動控制器芯片可以與微控制器集成在同一封裝中。來源:英飛凌
借助使用內(nèi)置數(shù)字SPI接口的50多個(gè)可編程參數(shù),電機(jī)驅(qū)動器芯片可實(shí)現(xiàn)高度可配置,可以驅(qū)動各類廣泛的MOSFET,從而實(shí)現(xiàn)最佳的系統(tǒng)效率。其他優(yōu)點(diǎn)還包括:
·減少外部元件數(shù)量,減小PCB面積
·更優(yōu)異的效率和電磁干擾(EMI)性能
·在使用不同的逆變器FET方面具有最大的靈活性
·具有高精度的電流檢測能力,同時(shí)可節(jié)省外部元件數(shù)量
·更高的動態(tài)范圍,可進(jìn)一步提高信號分辨率
·更高的可靠性和故障檢測能力
·利用氮化鎵提高了效率和功率密度
在某些情況下,重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)是將功率電子器件集成在靠近電機(jī)的地方或同一殼體內(nèi)。這種設(shè)計(jì)的潛在好處包括提高功率密度和降低BoM成本,因?yàn)殡姍C(jī)和電子元器件可以放在一個(gè)較小的殼體內(nèi),借助系統(tǒng)效率的提升而節(jié)省了成本。
通常情況下,散熱和大電容一直是影響集成式電機(jī)驅(qū)動器(IMD)性能的不利因素。通過基于氮化鎵(GaN)的設(shè)計(jì),為克服開關(guān)速度和最大輸出功率之間的艱難權(quán)衡提供了條件。利用面向場的控制(FOC),實(shí)現(xiàn)了更高開關(guān)頻率,進(jìn)而帶來許多系統(tǒng)優(yōu)勢,包括減小大電容容量、降低電機(jī)紋波電流、降低扭矩紋波和聲學(xué)噪音等。另外,更高的頻率還能降低電機(jī)溫度。這種組合可以實(shí)現(xiàn)更高的端到端系統(tǒng)效率改進(jìn)。
在無人機(jī)中,提升系統(tǒng)效率后,其好處不僅因損耗減少能使設(shè)計(jì)效率更高,而且體積變得更小,這是無人機(jī)變得更輕從而飛得更遠(yuǎn)的一個(gè)關(guān)鍵。
展望未來
更高的產(chǎn)品集成度可以幫助工程師更加容易地實(shí)現(xiàn)即買即用型解決方案,從而縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間。正如電機(jī)驅(qū)動芯片那樣,將高集成度與廣泛的可編程功能結(jié)合在一起,可以形成競爭性優(yōu)勢和系統(tǒng)靈活性。新的封裝和寬帶隙技術(shù)還能提供額外的電機(jī)控制系統(tǒng)優(yōu)勢,例如:
新的封裝設(shè)計(jì)可以提供更優(yōu)化的熱管理性能,因?yàn)楣β书_關(guān)的發(fā)熱總是與開關(guān)損耗密不可分。
新的寬帶隙器件為更高的開關(guān)頻率驅(qū)動奠定了基礎(chǔ),在提高精度和縮小占位面積方面均大有裨益。
為了開發(fā)出最具競爭力的電機(jī)控制系統(tǒng),設(shè)計(jì)師必須充分利用好所有最新的可用技術(shù)。
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