如上圖,為了從高電壓Vs得到Vo,開(kāi)關(guān)電源采用了用一定占空比的方波Vg1,Vg2推動(dòng)上下MOS管,Vg1和Vg2是反相的,Vg1為高,Vg2為低;上MOS管打開(kāi)時(shí),下MOS管關(guān)閉;下MOS管打開(kāi)時(shí),上MOS管關(guān)閉。由此在L左端形成了一定占空比的方波電壓,電感L和電容C我們可以看作是低通濾波器,因此方波電壓經(jīng)過(guò)濾波后就得到了濾波后的穩(wěn)定電壓Vo。Vo經(jīng)過(guò)R1、R2分壓后送入個(gè)放大器(誤差放大器)的負(fù)端V+,誤差放大器的輸出Va做為第二個(gè)放大器(PWM放大器)的正端,PWM放大器的輸出Vpwm是一個(gè)有一定占空比的方波,經(jīng)過(guò)門(mén)邏輯電路處理得到兩個(gè)反相的方波Vg1、Vg2來(lái)控制MOSFET的開(kāi)關(guān)。
誤差放大器的正端Vref是一恒定的電壓,而PWM放大器的負(fù)端Vt是一個(gè)三角波信號(hào),一旦Va比三角波大時(shí),Vpwm為高;Va比三角波小時(shí),Vpwm為低,因此Va與三角波的關(guān)系,決定了方波信號(hào)Vpwm的占空比;Va高,占空比就低,Va低,占空比就高。經(jīng)過(guò)處理,Vg1與Vpwm同相,Vg2與Vpwm反相;終L左端的方波電壓Vp與Vg1相同。如下圖
當(dāng)Vo上升時(shí),V+將上升,Va下降,Vpwm占空比下降,經(jīng)過(guò)們邏輯之后,Vg1的占空比下降,Vg2的占空比上升,Vp占空比下降,這又導(dǎo)致Vo降低,于是Vo的上升將被抑制。反之亦然。
3、對(duì)比線性穩(wěn)壓電源和開(kāi)關(guān)電源
懂得了線性穩(wěn)壓電源和開(kāi)關(guān)電源的工作原理之后,我們就可以明白為什么線性穩(wěn)壓電源有較小的噪聲,較快的瞬態(tài)響應(yīng),但是效率差;而開(kāi)關(guān)電源噪聲較大,瞬態(tài)響應(yīng)較慢,但效率高了。
線性穩(wěn)壓電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,反饋環(huán)路短,因此噪聲小,而且瞬態(tài)響應(yīng)快(當(dāng)輸出電壓變化時(shí),補(bǔ)償快)。但是因?yàn)檩斎牒洼敵龅膲翰钊柯湓诹薓OSFET上,所以它的效率低。因此,線性穩(wěn)壓一般用在小電流,對(duì)電壓精度要求高的應(yīng)用上。
而開(kāi)關(guān)電源,內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,影響輸出電壓噪聲性能的因數(shù)很多,且其反饋環(huán)路長(zhǎng),因此其噪聲性能低于線性穩(wěn)壓電源,且瞬態(tài)響應(yīng)慢。但是根據(jù)開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu),MOSFET處于完全開(kāi)和完全關(guān)兩種狀態(tài),除了驅(qū)動(dòng)MOSFET,和MOSFET自己內(nèi)阻消耗的能量之外,其他能量被全部用在了輸出(理論上L、C是不耗能量的,盡管實(shí)際并非如此,但這些消耗的能量很小)。