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PED30D08M PDFN3.3x3.3-8L

    PED30D08M是VDS=30V,ID=22A,RDS(ON)<22m?@VGS=10V,RDS(ON)<30m?@VGS=4.5V的N溝道MOSFET。PED30D08M的絲印是30D08M,PED30D08M提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
    The PED30D08M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wid

PED30D08M概述:
    PED30D08M是VDS=30V,ID=22A,RDS(ON)<22m?@VGS=10V,RDS(ON)<30m?@VGS=4.5V的N溝道MOSFET。PED30D08M的絲印是30D08M,PED30D08M提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
    The PED30D08M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

PED30D08M特性:
VDS = 30V, ID = 22A
RDS(ON) < 22m? @ VGS=10V
RDS(ON) < 30m? @VGS=4.5V
High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package

PED30D08M應(yīng)用:
PWM applications
Load switch
Power management

PED30D08M典型應(yīng)用及引腳:

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