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    ME2170是一款由基準(zhǔn)電壓源、振蕩電路、誤差放大電路、相位補(bǔ)償電路、電流限制電路等構(gòu)成的CMOS升壓型DC/DC LED驅(qū)動。

    由于內(nèi)置了低導(dǎo)通電阻的增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET，因此適用于需要高效率、高輸出電流的應(yīng)用電路。

    另外，可通過在VSENSE端子連接電流檢測電阻 (RSENSE) 來限制輸出電流。由于將電流檢測電壓(VSENSE)設(shè)定為107mV，因此可減少在R SENSE 端產(chǎn)生的損耗。

    ME2170外圍的輸出電容可使用陶瓷電容器。并且，采用了SOP8封裝，散熱性好，可適用于高密度安裝高精度高效率的應(yīng)用。

ME2170特性：

可自由設(shè)置恒流大?。喝绠?dāng)設(shè)定 R SENSE =143mΩ時，恒流值是 750mA。

輸入范圍：2.5~6V

帶載輸出：2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED

設(shè)置 V OUT =12V 時，推薦 Vin 不低于 3.1V

工作頻率：1.0MHz

基準(zhǔn)電壓：1.25V

消耗電流低 : 靜止時 60 µA (典型值)

軟啟動時間: 2 ms（典型值）

UVLO (欠壓鎖定) 功能：VDD<2.3V

外接元器件 : 電感器、二極管、電容器、電阻

ME2170應(yīng)用：

ME2170典型應(yīng)用圖：

ME2170選型指南：

產(chǎn)品型號	產(chǎn)品說明
ME2170ASG	內(nèi)置 MOS，封裝形式：SOP8

ME217產(chǎn)品引腳圖：

ME2170腳位功能說明：

ME2170功功能示意圖：

ME2170工作原理：

    ME2170是升壓型DC-DC控制器。芯片開始上電以后，若輸入電壓較低，則芯片進(jìn)入欠壓鎖定保護(hù)狀態(tài)；當(dāng)VDD電壓大于 2.4V 以后，芯片脫離欠壓鎖定狀態(tài)并使能芯片的使能控制端，然后芯片開始正常工作。芯片內(nèi)部有軟起動電路，時間為 2ms。經(jīng)過 2ms 以后，內(nèi)部振蕩器開始工作。升壓型DC-DC控制器在增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET為ON 時，可通過輸入電壓 (VIN) 開始供應(yīng)電流，與此同時，將能量累積到電感器中。隨后，增強(qiáng)型 N 溝道功率 MOSFET 為 OFF 時，會釋放出累積在電感器中的電流，因此 CONT 端子電壓被升壓，電流通過二極管釋放到 VOUT 端。釋放出的電流累積到輸出.

ME2170封裝信息：