IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，可以在高電壓和高電流條件下工作，因而被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。

    與MOSFET相比，IGBT具有更低的驅(qū)動(dòng)電壓和更高的開(kāi)關(guān)速度，而且具有雙極型晶體管的正向?qū)芰?，因此可以承受更高的電流和電壓。同時(shí)，IGBT也集成了MOSFET的絕緣柵控制功能，可以實(shí)現(xiàn)更安全和可靠的控制。

    IGBT通常由一個(gè)PN結(jié)和一個(gè)N溝道組成，具有三個(gè)端口：集電極、發(fā)射極和柵極。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，會(huì)形成一個(gè)PNP型結(jié)構(gòu)，使集電極和發(fā)射極之間的PN結(jié)極化，從而導(dǎo)通。當(dāng)柵極不再施加正向電壓時(shí)，PNP結(jié)會(huì)恢復(fù)為開(kāi)路狀態(tài)，IGBT停止導(dǎo)通。