從理論上講，D類開關(guān)器件的高性能需要提供低導(dǎo)通電阻，以最大程度地降低I2R損耗。GaN提供的導(dǎo)通電阻比Si MOSFET低得多，并且可以在較小的裸片面積中實(shí)現(xiàn)。反過來，這也體現(xiàn)在小包裝中，設(shè)計(jì)人員可以使用小包裝將更緊湊的放大器推向市場。

    開關(guān)損耗是另一個(gè)需要充分考慮的因素。在中高功率輸出電平下，D類放大器的性能異常出色。但是，由于功率器件中的損耗，效率最低的是最低功率輸出。

    為了克服這一挑戰(zhàn)，某些D類放大器方法使用兩種工作模式。這種多級(jí)技術(shù)限制了當(dāng)播放低音量音頻時(shí)功率設(shè)備可以切換到的輸出電壓。一旦輸出量達(dá)到預(yù)定義的閾值，開關(guān)的輸出電壓軌就會(huì)增加，從而提供完整的電壓擺幅。為了進(jìn)一步減少開關(guān)損耗的影響，可以在低輸出量時(shí)使用零電壓開關(guān)（ZVS）技術(shù)，而在高功率水平時(shí)改為硬開關(guān)。

    當(dāng)使用Si MOSFET實(shí)施時(shí)，由于在功率器件關(guān)閉和打開時(shí)輸出處的非零電壓，硬開關(guān)模式會(huì)導(dǎo)致體二極管中產(chǎn)生電荷積聚。隨后需要建立的反向恢復(fù)電荷（Qrr）需要放電，并且需要將其時(shí)間納入PWM控制實(shí)現(xiàn)中。在利用GaN的設(shè)計(jì)中，這不是問題，因?yàn)檫@些晶體管沒有固有的體二極管，因此沒有Qrr。這樣的結(jié)果是總體上更高的效率，失真度的改善以及更清晰的開關(guān)波形。

    當(dāng)放大器在ZVS模式下工作時(shí)，開關(guān)損耗和由此產(chǎn)生的開關(guān)功率損耗可以有效消除，因?yàn)檩敵龅倪^渡是通過電感器電流換向?qū)崿F(xiàn)的。但是，與所有半橋設(shè)計(jì)一樣，需要考慮直通問題，即同時(shí)接通高側(cè)和低側(cè)開關(guān)的時(shí)刻。通常插入一個(gè)短的延遲，稱為消隱時(shí)間，以確保其中一個(gè)開關(guān)設(shè)備在另一個(gè)開關(guān)設(shè)備打開之前完全關(guān)閉。應(yīng)當(dāng)注意的是，這種延遲會(huì)影響PWM信號(hào)，從而導(dǎo)致音頻輸出失真，因此，目標(biāo)是使其盡可能短，以保持音頻保真度。此延遲的時(shí)間長度取決于功率器件的輸出電容Coss。盡管GaN晶體管尚未完全消除Coss，但它遠(yuǎn)低于Si MOSFET器件的Coss。結(jié)果，較短的消隱時(shí)間使放大器在使用GaN時(shí)失真較小。

    盡管有所改進(jìn)，但仍需要處理存儲(chǔ)在該電容中的能量，并在下一個(gè)導(dǎo)通周期中將其消散。但是，由于這些損耗的影響在較高的開關(guān)頻率下尤其明顯，因此基于GaN的設(shè)計(jì)顯示出比基于Si的放大器更高的效率。