5V、三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)

    下部 n 溝道器件的額定電壓，并為上部 n 溝道 MOSFET 提供至少 7.5 V 的柵極增強(qiáng)電壓。“軌到軌”驅(qū)動(dòng)所有柵極 考慮到輸入電平變化（4.5 至 5.5 V）和電荷泵損耗，產(chǎn)生的電源電壓范圍約為 12 至 16 V。該電壓范圍安全地在 20 -V 柵源導(dǎo)致較低器件的阻抗稍低。然而，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，總阻抗（一個(gè)上部 MOSFET 加一個(gè)下部 MOSFET）通常比對(duì)稱性更重要。

    如果可以接受動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，則可以大大簡(jiǎn)化中間低壓應(yīng)用（大約 12V）。自舉電容器布置是一種簡(jiǎn)單且廉價(jià)的方法，可提供驅(qū)動(dòng)高側(cè)柵極所需的電壓（圖 2）。在相對(duì)較窄的電壓范圍（約 10 至 20 V）內(nèi)，可以選擇簡(jiǎn)單的無(wú)源上拉 (R1) 值，以提供快速轉(zhuǎn)換速率和可容忍的開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于高于 20V 的工作電壓，可能需要采用有源上拉電平移位裝置，并且應(yīng)使用齊納二極管對(duì) Q2 的柵源進(jìn)行鉗位，以保證不違反 V GS 額定值。采用這種技術(shù)時(shí)，工作電壓低于約 10 V 可能會(huì)導(dǎo)致 Q2 柵極驅(qū)動(dòng)不足。自舉電容器中存儲(chǔ)的電壓等于 10V（電源電壓）減去二極管壓降，再減去 MOSFET 壓降（Q1 上的負(fù)載電流 xr DS(on)）。該電壓因電荷而進(jìn)一步降低，必須傳輸電荷才能充分增強(qiáng) Q2 的柵極，并且電壓會(huì)因流經(jīng) D1 和 Q3 的漏電流而隨時(shí)間衰減。