圖 1：Audio 供電回路圖

    這類(lèi)便攜式產(chǎn)品要求通過(guò)標(biāo)準(zhǔn) EN55022，Class B。這個(gè)產(chǎn)品的初版樣機(jī)在輻射發(fā)射測(cè)試時(shí)（未接手機(jī)），輻射發(fā)射 30M 到 300M 頻段嚴(yán)重超標(biāo)，在 200MHZ 左右，超標(biāo) 20DB 以上。

    首先，先分析輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，我們知道 EMC 三要素，騷擾源，耦合路徑和敏感設(shè)備。這個(gè)產(chǎn)品中開(kāi)關(guān)方式工作的器件無(wú)疑是騷擾源，也就是 BQ24133(開(kāi)關(guān)頻率1.6MHZ)和兩個(gè) LM3478（開(kāi)關(guān)頻率400KHZ）。再看耦合路徑，30M 到 300M 頻段對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)是一米到十米，如果要發(fā)射一定波長(zhǎng)的電磁波，需要一根發(fā)射天線(xiàn)，成為天線(xiàn)的必要條件是長(zhǎng)度至少要大于波長(zhǎng)的二十分之一，當(dāng)天線(xiàn)是電磁波半波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)，發(fā)射功率最大。滿(mǎn)足以上條件能成為天線(xiàn)的導(dǎo)線(xiàn)就是幾根外接線(xiàn)，最有可能的是適配器的直流電源線(xiàn)和地線(xiàn)。分析 layout 設(shè)計(jì)，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)，只用了一個(gè)地，在整個(gè) PCB 的兩層均大面積鋪地，并且與適配器的地線(xiàn)連接在一起，加上手機(jī)的充電導(dǎo)線(xiàn)，構(gòu)成一根超過(guò)兩米長(zhǎng)的地線(xiàn)。另外BQ24133 充電電路和兩個(gè) LM3478 的升壓電路底下也是大面積的鋪地，造成高頻干擾直接耦合到地平面，通過(guò)長(zhǎng)的地線(xiàn)發(fā)射出來(lái)。

    針對(duì)以上分析，做了整改。由于是便攜式音頻設(shè)備，沒(méi)有 PE 線(xiàn)，無(wú)法使用 Y 電容，客戶(hù)也不希望使用共模電感增加成本，所以主要優(yōu)化 layout。采取了以下措施：

    3.1.1)將每個(gè)電源回路梳理，將模擬地和數(shù)字地分開(kāi)，每個(gè)單元電路不要相互交叉。BQ24133 的數(shù)字地和模擬地分開(kāi)走線(xiàn)，在芯片下通過(guò)一個(gè) 0 歐姆電阻的單點(diǎn)接。另外，BQ24133 的功率地最好跟整個(gè)產(chǎn)品的地適當(dāng)分割，單點(diǎn)連接。

    3.1.2)減小諧波回路面積，對(duì) LM3478，如圖，MOS 管開(kāi)通時(shí)，Cin，L 和 MOS 構(gòu)成一個(gè)回路對(duì)電感充電，請(qǐng)看圖 2（a）的 Cycle1。MOS 管關(guān)斷時(shí)，Cin，L，D，Cout 構(gòu)成另一個(gè)回路對(duì)電感放電，請(qǐng)看圖 2（b）中的 Cycle2。對(duì)于二極管 D，交替工作在正向?qū)ê头聪蚪刂沟臓顟B(tài)，因此，有很高的反向恢復(fù)尖峰電壓，需要在二極管兩端加 Snubber 電路來(lái)抑制這個(gè)尖峰電壓，以避免產(chǎn)生過(guò)大的共模噪聲。這兩個(gè)回路的工作頻率是 MOS 的開(kāi)關(guān)頻率，諧波分量大，布板時(shí)要盡量減小諧波回路的面積。要把這兩個(gè)功率回路的器件靠近放置，走大銅皮寬走線(xiàn)，減小開(kāi)關(guān)頻率諧波的回路阻抗。