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單N-MOS

PED30D08M PDFN3.3x3.3-8L

    PED30D08M是VDS=30V，ID=22A，RDS(ON)<22m?@VGS=10V，RDS(ON)<30m?@VGS=4.5V的N溝道MOSFET。
    PED30D08M的絲印是30D08M，PED30D08M提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
    The PED30D08M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    PED30D08M概述：
        PED30D08M是VDS=30V，ID=22A，RDS(ON)<22m?@VGS=10V，RDS(ON)<30m?@VGS=4.5V的N溝道MOSFET。PED30D08M的絲印是30D08M，PED30D08M提供PDFN3.3x3.3-8L封裝。
        The PED30D08M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PED30D08M特性：
    VDS = 30V, ID = 22A
    RDS(ON) < 22m? @ VGS=10V
    RDS(ON) < 30m? @VGS=4.5V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PED30D08M應(yīng)用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management

    PED30D08M典型應(yīng)用及引腳：

    請(qǐng)?zhí)峤荒幕拘畔?，發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號(hào)),我們將會(huì)盡快與您聯(lián)系！

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