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單N-MOS

PE30D10 SOP8

    PE30D10是VDS=30V,ID=10A，RDS(ON)<13m?，@VGS=10V，RDS(ON)<18m?，@VGS=4.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
    PE30D10的絲印是30D10.PE30D10提供SOP-8封裝.
    The PE30D10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    PE30D10概述：
        PE30D10是VDS=30V,ID=10A，RDS(ON)<13m?，@VGS=10V，RDS(ON)<18m?，@VGS=4.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE30D10的絲印是30D10.PE30D10提供SOP-8封裝.
        The PE30D10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE30D10特性：
    VDS = 30V, ID = 10A
    RDS(ON) < 13m? @ VGS=10V
    RDS(ON) < 18m?@VGS=4.5V
    High Power and current handingcapability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE30D10應用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management

    PE30D10典型應用及引腳圖：

    請?zhí)峤荒幕拘畔?，發(fā)郵件Sales@ChipSourceTek.com,或者打電話給我們,13823761625(微信同號),我們將會盡快與您聯(lián)系！

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