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    FM5057H產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護的高集成度解決方案。FM5057H包括了先進的功率MOSFET，高精度的電壓檢測電路和延時電路。

    FM5057H具有過充，過放，過流，短路等所有的電池所需保護功能，并且工作時功耗非常低。

    該芯片適用于一切需要鋰離子或鋰聚合物可充電電池長時間供電的各種信息產(chǎn)品的應用場合。

FM5057H特點:

內部集成等效 15.8mΩ左右的先進的功率MOSFET；

2 段放電過流保護：過放電流 1 、負載短路電流；

電過流保護

具有 0V 充電功能

延時時間內部設定；

高精度電壓檢測；

低靜態(tài)耗電流：正常工作電流 3.0uA

兼容 ROHS 和無鉛標準。

采用 SOT89-5 封裝形式塑封。

FM5057H應用:

單芯鋰離子電池組

鋰聚合物電池組

FM5057H引腳示意圖及說明：

FM5057H功能描述：

    FM5057H 是一款高精度的鋰電池保護電路。正常狀態(tài)下，如果對電池進行充電，則 FM5057H 可能會進入過電壓充電保護狀態(tài)；同時，滿足一定條件后，又會恢復到正常狀態(tài)。如果對電池放電，則可能會進入過電壓放電保護狀態(tài)或過電流放電保護狀態(tài)；同時，滿足一定條件后，也會恢復到正常狀態(tài)。

正常狀態(tài)

    在正常狀態(tài)下，FM5057H 由電池供電，其 VDD 端電壓在過電壓充電保護閾值 V OC 和過電壓放電保護閾值 V OD之間，VM 端電壓在充電器檢測電壓（V CHG ）與過電流放電保護閾值（V EDI ）之間，內置 N-MOS 管導通。此時，既可以使用充電器對電池充電，也可以通過負載使電池放電。

過電壓充電保護狀態(tài)

保護條件

    正常狀態(tài)下，對電池進行充電，如果使 VDD 端電壓 升高超過過電壓充電保護閾值 V OC ，且持續(xù)時間超過電壓充電保護延遲時間 t OC ，則 FM5057H 將使內置 N-MOS 管關閉，充電回路被“切斷”， 即 FM5057H 進入過電壓充電保護狀態(tài)。

恢復條件

有以下兩種條件可以使 FM5057H 從過電壓充電保 護狀態(tài)恢復到正常狀態(tài)：

    1）電池由于“自放電”使 VDD 端電壓低于過電壓充電恢復閾值 V OCR ；

    2）通過負載使電池放電（注意，此時雖然 內置 N-MOS 管 關閉，但由于其體內二極管的存在，使放電回路仍然存在），當 V DD 端電壓低于過電壓充電保護閾值 V OC ，且 V M 端電壓高于過電流放電保護閾值V EDI （在內置 N-MOS管 導通以前，VM 端電壓將比GND端高一個二極管的導通壓降）。

    FM5057H 恢復到正常狀態(tài)以后 ，內置 N-MOS 管回到導通狀態(tài)。

過電壓放電保護/ 低功耗狀態(tài)

保護條件

    正常狀態(tài)下，如果電池放電使 VDD 端電壓降低至過 電壓放電保護閾值 V OD ，且持續(xù)時間超過過電壓放電保護延遲時間 t OD ，則 FM5057H 內置N-MOS 管關閉，放電回路被“切斷”，即 FM5057H 進入過電壓放電保護狀態(tài)。同時，VM 端電壓將通過內部電 阻 RVMD 被上拉到 VDD。

恢復條件

    當充電器連接上，并且VM電壓 低于充電器檢測電壓 V CHG 時，電池電壓升高到過電壓放電保護閾值 V OD 以上時，FM5057H 內置N-MOS 管導通，芯片進入正常模式。如果VM電壓不低于充電器檢測電壓 V CHG ，那么電池電壓升高到

過電壓放電恢復閾值 V ODR 以上時，FM5057H 內置N-MOS 管導通，芯片進入正常模式。

過電流放電/ 負載短路保護狀態(tài)

保護條件

    正常狀態(tài)下，通過負載對電池放電，FM5057H 電路的 VM 端電壓將隨放電電流的增加而升高。如果放電電流增加使 VM 端電壓超過過電流放電保護閾值 V EDI ，且持續(xù)時間超過過電流放電保護延遲時間 t EDI ，則FM5057H 進入過電流放電保護狀態(tài)；如果放電電流進一步增加使 VM 端電壓超過電池短路保護閾值 V SHORT ，且持續(xù)時間超過短路延遲時間 t short ，則 FM5057H 進入電池短路保護狀態(tài)。

    FM5057H 處于過電流放電/負載電池短路保護狀態(tài)時， 內置 N-MOS 管關閉，放電回路被“切斷”；同時，VM端將通過內部電阻 RVMS 連接到 GND，放電負載取消后， VM 端電平即變?yōu)?GND 端電平。

恢復條件

    在過電流放電/電池短路保護狀態(tài)下，當 VM 端電壓 由高降低至低于過電流放電保護閾值 V EDI ，且持續(xù)時間

超過過電流放電恢復延遲時間 t EDIR ，則 FM5057H 可恢復 到正常狀態(tài)。因此，在過電流放電/電池短路保護狀態(tài)下， 當所有的放電負載取消后，FM5057H 即可“自恢復”。

    FM5057H 恢復到正常狀態(tài)以后，內置 N-MOS 回到導通狀態(tài)。

0V  電池充電

0V  電池充電允許

    對于 0V 電池充電允許的電路，如果使用充電器對電池充電，使 FM5057H 電路的 VDD 端相對 VM 端的電壓大于 0V 充電允許閾值 V 0V_CHG 時，則通過內置 N-MOS 管的體內二極管可以形成一個充電回路，使電池電壓升高；當電池電壓升高至使 VDD 端電壓超過過電壓放電保護閾值 VOD 時，FM5057H 將回到正常狀態(tài)，同時內置 N-MOS 回到導通狀態(tài)。

    注 ：當電池第一次接上保護電路時，可能不會進入正常模式，此時無法放電。如果產(chǎn)生這種現(xiàn)象，使 VM 管腳電壓等于 GND 電壓（將 VM 與 GND 短接）或連接充電器，就可以進入正常模式。

FM5057H典型應用電路圖:

FM5057H封裝信息：