Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備。隨著SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布，Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求，包括功率因數(shù)校正（PFC）和后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲；UPS；高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器；太陽能逆變器；焊接設(shè)備；感應(yīng)加熱；電機(jī)驅(qū)動；以及電池充電器。

    SiHP054N65E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.051 Ω，從而提高額定功率支持 2 kW以上的各種應(yīng)用，器件滿足符合開放計(jì)算項(xiàng)目Open Rack V3（ORV3）標(biāo)準(zhǔn)的需求。此外，這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC。器件的FOM 為3.67 Ω*nC，比同類接近的競品MOSFET 低1.1 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低，從而達(dá)到節(jié)能效果，提高能效。器件滿足服務(wù)器電源鈦效應(yīng)的特殊要求，或通信電源達(dá)到96%的峰值效率。

    日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容 Co(er) 和Co(tr) 典型值分別僅為115 pF和 772 pF，可改善硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開關(guān)順向設(shè)計(jì)。器件的電阻與 Co(tr) 乘積FOM低至5.87 W*pF達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。

    SiHP054N65E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，關(guān)于供貨周期的信息，請與當(dāng)?shù)劁N售部聯(lián)系。

    Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。