羅姆推出集成驅(qū)動和功率管的650V氮化鎵功率級IC
發(fā)布日期:2023-09-05
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ROHM 開發(fā)了內(nèi)置650V GaN HEMT 和柵極驅(qū)動器的功率級 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 這些器件非常適合工業(yè)和消費應(yīng)用（例如數(shù)據(jù)服務(wù)器和交流適配器）內(nèi)的主電源。
在過去的幾年里，消費者和工業(yè)部門越來越需要更多的能源節(jié)約，以實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會。 雖然 GaN HEMT 有望顯著促進(jìn)小型化和提高功率轉(zhuǎn)換效率，但與硅 MOSFET 相比，柵極驅(qū)動的難度較大，需要使用專用的柵極驅(qū)動器。 為此，ROHM 開發(fā)了功率級 IC，利用核心功率和模擬技術(shù)，將 GaN HEMT 和柵極驅(qū)動器集成到單個封裝中，從而大大簡化了設(shè)計與安裝。
除此之外，BM3G0xxMUV-LB 系列（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）還集成了額外的功能和外圍組件，旨在最大限度地提高 GaN HEMT 性能以及 650V GaN HEMT（下一代功率器件）。 ROHM 的寬驅(qū)動電壓范圍（2.5V 至 30V）等功能可與主電源中的幾乎所有控制器 IC 兼容，從而有助于替換現(xiàn)有的硅（超級結(jié)）MOSFET。 這使得可以同時減少55%的元件體積和功率損耗，以更小的尺寸實現(xiàn)更高的效率。
臺達(dá)電子 PSADC（功率半導(dǎo)體應(yīng)用開發(fā)中心）總經(jīng)理ISAAC LIN說道，“GaN器件作為對設(shè)備小型化、節(jié)能化做出巨大貢獻(xiàn)的器件，受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。”
ROHM的新產(chǎn)品利用ROHM獨創(chuàng)的模擬技術(shù)，實現(xiàn)了高速且安全的柵極驅(qū)動。 這些產(chǎn)品將進(jìn)一步推動GaN功率器件的使用。
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