東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實現(xiàn)電源電路小型化
發(fā)布日期:2023-07-06
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采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴展的安全工作區(qū)
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。
新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
未來，東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設(shè)備功耗。
應(yīng)用
- 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
- 開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）
特性
- 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 寬安全工作區(qū)
- 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃
主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
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型號器件 |
TPH3R10AQM |
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絕對最大額定值 |
漏極-源極電壓VDSS（V） |
100 |
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漏極電流（DC）ID（A） |
Tc＝25℃ |
120 |
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結(jié)溫Tch（℃） |
175 |
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電氣特性 |
漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON) 最大值（mΩ） |
VGS＝10V |
3.1 |
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VGS＝60V |
6.0 |
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總柵極電荷（柵極-源極+柵極-漏極）Qg典型值（nC） |
83 |
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柵極開關(guān)電荷Qsw典型值（nC） |
32 |
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輸出電荷Qoss典型值（nC） |
88 |
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輸入電容Ciss典型值（pF） |
5180 |
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封裝 |
名稱 |
SOP Advance(N) |
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尺寸典型值（mm） |
4.9×6.1 |
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庫存查詢與購買 |
在線購買 |
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注：
[1] 在設(shè)備運行時，在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。
[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48
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