DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達7200MT/s的速度，是業(yè)內首款與小型DIMM（SODIMM）、非緩沖DIMM（UDIMM）、高性能游戲DIMM，以及客戶端平臺的焊接式存儲應用相連接的產品。瑞薩的第3代DDR5 RCD專為寄存DIMM（RDIMM）而設計。

    Balaji Kanigicherla, Corporate Vice President and General Manager of the Advanced Mixed Signal and ASIC Solutions Division at Renesas表示：“作為業(yè)界卓越的存儲接口產品供應商，瑞薩不斷推動存儲生態(tài)系統向性能和功耗的前沿領域邁進。瑞薩在DDR5接口規(guī)范的定義和實施領域發(fā)揮著不可或缺的重要作用，并將繼續(xù)作為優(yōu)秀的SOC和DRAM廠商在DIMM和系統級領域的重要合作伙伴。”

    Dr. Dimitrios Ziakas, Vice President of Memory and IO Technologies at Intel表示：“英特爾®至強®平臺旨在為存儲密集型應用提供支持，例如基于深度學習和機器學習的預測性分析?？蛻舳藭r鐘驅動器作為一項新的行業(yè)舉措，旨在進一步增強客戶端DIMM。 第3代RCD是存儲行業(yè)一個重要里程碑，有助于滿足我們數據中心客戶的帶寬和容量擴展需求。瑞薩和英特爾一直同業(yè)界攜手，幫助確保客戶端時鐘驅動器和第三代RCD的規(guī)范與實施，從而滿足市場需求。”

    CKD在主機控制器和DRAM間緩沖時鐘信號，這是DDR5 DIMM針對客戶端DIMM和焊接式存儲應用在高達7200MT/s速度運行時的新要求。全新時鐘驅動器CKD支持I2C和I3C邊帶訪問以實現異步控制，并提供內部控制字訪問，以配置器件功能，適應不同的SODIMM和UDIMM配置及焊接式存儲系統應用。

    RCD驅動器在主機控制器和DRAM模塊之間針對命令地址（CA）總線、芯片選擇和時鐘進行緩沖，此外還創(chuàng)建了一個BCOM總線來控制LRDIMM數據緩沖。全新驅動器增強了決策反饋均衡器（DFE）的支持；其將DFE 相位轉換器從4個增加至6個，以提高接收器裕量，而I2C和I3C邊帶總線支持提供了直連寄存器的訪問控制。