三星電子的3nm芯片采用了GAA架構(gòu)通過降低電源電壓和增強驅(qū)動電流的能力來有效提升功率。此外，三星還在高性能智能手機處理器的半導體芯片中也應用過納米片晶體管，與納米線技術相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調(diào)整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標。

而作為對比，臺積電和英特爾則分別將于今年下半年以及明年下半年才開始大規(guī)模量產(chǎn)3nm制程工藝的芯片。其實也難怪三星選擇如此激進的做法，拼了老命也要趕在臺積電前面量產(chǎn)3nm的芯片，并且實現(xiàn)反超。眾所周知，臺積電是世界上最先進的芯片代工廠，其技術一直立于世界之巔，而起步稍晚的三星在技術層面確實弱于臺積電。



    最直觀的就是在5nm工藝時，采用三星5nm工藝制程打造的驍龍8早早地就翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數(shù)交給臺積電，而由臺積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個方面都遠超三星5nm工藝的驍龍8。這主要是因為三星的5nm工藝對比臺積電的5nm工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。因此，就連英偉達就宣布下一代40系顯卡將采用臺積電的N4工藝打造，不帶三星玩了。