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    FM5057H產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。FM5057H包括了先進(jìn)的功率MOSFET，高精度的電壓檢測電路和延時(shí)電路。

    FM5057H具有過充，過放，過流，短路等所有的電池所需保護(hù)功能，并且工作時(shí)功耗非常低。

    該芯片適用于一切需要鋰離子或鋰聚合物可充電電池長時(shí)間供電的各種信息產(chǎn)品的應(yīng)用場合。

FM5057H特點(diǎn):

內(nèi)部集成等效 15.8mΩ左右的先進(jìn)的功率MOSFET；

2 段放電過流保護(hù)：過放電流 1 、負(fù)載短路電流；

電過流保護(hù)

具有 0V 充電功能

延時(shí)時(shí)間內(nèi)部設(shè)定；

高精度電壓檢測；

低靜態(tài)耗電流：正常工作電流 3.0uA

兼容 ROHS 和無鉛標(biāo)準(zhǔn)。

采用 SOT89-5 封裝形式塑封。

FM5057H應(yīng)用:

單芯鋰離子電池組

鋰聚合物電池組

FM5057H引腳示意圖及說明：

FM5057H功能描述：

    FM5057H 是一款高精度的鋰電池保護(hù)電路。正常狀態(tài)下，如果對電池進(jìn)行充電，則 FM5057H 可能會(huì)進(jìn)入過電壓充電保護(hù)狀態(tài)；同時(shí)，滿足一定條件后，又會(huì)恢復(fù)到正常狀態(tài)。如果對電池放電，則可能會(huì)進(jìn)入過電壓放電保護(hù)狀態(tài)或過電流放電保護(hù)狀態(tài)；同時(shí)，滿足一定條件后，也會(huì)恢復(fù)到正常狀態(tài)。

正常狀態(tài)

    在正常狀態(tài)下，FM5057H 由電池供電，其 VDD 端電壓在過電壓充電保護(hù)閾值 V OC 和過電壓放電保護(hù)閾值 V OD之間，VM 端電壓在充電器檢測電壓（V CHG ）與過電流放電保護(hù)閾值（V EDI ）之間，內(nèi)置 N-MOS 管導(dǎo)通。此時(shí)，既可以使用充電器對電池充電，也可以通過負(fù)載使電池放電。

過電壓充電保護(hù)狀態(tài)

保護(hù)條件

    正常狀態(tài)下，對電池進(jìn)行充電，如果使 VDD 端電壓 升高超過過電壓充電保護(hù)閾值 V OC ，且持續(xù)時(shí)間超過電壓充電保護(hù)延遲時(shí)間 t OC ，則 FM5057H 將使內(nèi)置 N-MOS 管關(guān)閉，充電回路被“切斷”， 即 FM5057H 進(jìn)入過電壓充電保護(hù)狀態(tài)。

恢復(fù)條件

有以下兩種條件可以使 FM5057H 從過電壓充電保 護(hù)狀態(tài)恢復(fù)到正常狀態(tài)：

    1）電池由于“自放電”使 VDD 端電壓低于過電壓充電恢復(fù)閾值 V OCR ；

    2）通過負(fù)載使電池放電（注意，此時(shí)雖然 內(nèi)置 N-MOS 管 關(guān)閉，但由于其體內(nèi)二極管的存在，使放電回路仍然存在），當(dāng) V DD 端電壓低于過電壓充電保護(hù)閾值 V OC ，且 V M 端電壓高于過電流放電保護(hù)閾值V EDI （在內(nèi)置 N-MOS管 導(dǎo)通以前，VM 端電壓將比GND端高一個(gè)二極管的導(dǎo)通壓降）。

    FM5057H 恢復(fù)到正常狀態(tài)以后 ，內(nèi)置 N-MOS 管回到導(dǎo)通狀態(tài)。

過電壓放電保護(hù)/ 低功耗狀態(tài)

保護(hù)條件

    正常狀態(tài)下，如果電池放電使 VDD 端電壓降低至過 電壓放電保護(hù)閾值 V OD ，且持續(xù)時(shí)間超過過電壓放電保護(hù)延遲時(shí)間 t OD ，則 FM5057H 內(nèi)置N-MOS 管關(guān)閉，放電回路被“切斷”，即 FM5057H 進(jìn)入過電壓放電保護(hù)狀態(tài)。同時(shí)，VM 端電壓將通過內(nèi)部電 阻 RVMD 被上拉到 VDD。

恢復(fù)條件

    當(dāng)充電器連接上，并且VM電壓 低于充電器檢測電壓 V CHG 時(shí)，電池電壓升高到過電壓放電保護(hù)閾值 V OD 以上時(shí)，FM5057H 內(nèi)置N-MOS 管導(dǎo)通，芯片進(jìn)入正常模式。如果VM電壓不低于充電器檢測電壓 V CHG ，那么電池電壓升高到

過電壓放電恢復(fù)閾值 V ODR 以上時(shí)，FM5057H 內(nèi)置N-MOS 管導(dǎo)通，芯片進(jìn)入正常模式。

過電流放電/ 負(fù)載短路保護(hù)狀態(tài)

保護(hù)條件

    正常狀態(tài)下，通過負(fù)載對電池放電，FM5057H 電路的 VM 端電壓將隨放電電流的增加而升高。如果放電電流增加使 VM 端電壓超過過電流放電保護(hù)閾值 V EDI ，且持續(xù)時(shí)間超過過電流放電保護(hù)延遲時(shí)間 t EDI ，則FM5057H 進(jìn)入過電流放電保護(hù)狀態(tài)；如果放電電流進(jìn)一步增加使 VM 端電壓超過電池短路保護(hù)閾值 V SHORT ，且持續(xù)時(shí)間超過短路延遲時(shí)間 t short ，則 FM5057H 進(jìn)入電池短路保護(hù)狀態(tài)。

    FM5057H 處于過電流放電/負(fù)載電池短路保護(hù)狀態(tài)時(shí)， 內(nèi)置 N-MOS 管關(guān)閉，放電回路被“切斷”；同時(shí)，VM端將通過內(nèi)部電阻 RVMS 連接到 GND，放電負(fù)載取消后， VM 端電平即變?yōu)?GND 端電平。

恢復(fù)條件

    在過電流放電/電池短路保護(hù)狀態(tài)下，當(dāng) VM 端電壓 由高降低至低于過電流放電保護(hù)閾值 V EDI ，且持續(xù)時(shí)間

超過過電流放電恢復(fù)延遲時(shí)間 t EDIR ，則 FM5057H 可恢復(fù) 到正常狀態(tài)。因此，在過電流放電/電池短路保護(hù)狀態(tài)下， 當(dāng)所有的放電負(fù)載取消后，FM5057H 即可“自恢復(fù)”。

    FM5057H 恢復(fù)到正常狀態(tài)以后，內(nèi)置 N-MOS 回到導(dǎo)通狀態(tài)。

0V  電池充電

0V  電池充電允許

    對于 0V 電池充電允許的電路，如果使用充電器對電池充電，使 FM5057H 電路的 VDD 端相對 VM 端的電壓大于 0V 充電允許閾值 V 0V_CHG 時(shí)，則通過內(nèi)置 N-MOS 管的體內(nèi)二極管可以形成一個(gè)充電回路，使電池電壓升高；當(dāng)電池電壓升高至使 VDD 端電壓超過過電壓放電保護(hù)閾值 VOD 時(shí)，FM5057H 將回到正常狀態(tài)，同時(shí)內(nèi)置 N-MOS 回到導(dǎo)通狀態(tài)。

    注 ：當(dāng)電池第一次接上保護(hù)電路時(shí)，可能不會(huì)進(jìn)入正常模式，此時(shí)無法放電。如果產(chǎn)生這種現(xiàn)象，使 VM 管腳電壓等于 GND 電壓（將 VM 與 GND 短接）或連接充電器，就可以進(jìn)入正常模式。

FM5057H典型應(yīng)用電路圖:

FM5057H封裝信息：