LTK5128D通過(guò)一個(gè)MODE管腳可以方便地切換為AB類模式，完全消除EMI干擾。工作電壓2.5V-5.5V，在D類放大器模式下可以提供高于90%的效率，新型的無(wú)濾波器結(jié)構(gòu)可以省去傳統(tǒng)D類放大器的輸?shù)屯V波器，從而節(jié)省了系統(tǒng)成本和PCB空間，是便攜式應(yīng)用的理想選擇。
LTK5128D采用獨(dú)有的DRC（Dynamic range control）技術(shù)，降低了大功率輸出時(shí)，由于波形切頂帶來(lái)的失真，相比同類產(chǎn)品，動(dòng)態(tài)反應(yīng)更加出色。
LTK5128D采用ESOP-8封裝。
無(wú)濾波的 D 類/AB 類放大器、低靜態(tài)電流和低 EMI
FM 模式無(wú)干擾
優(yōu)異的爆破聲抑制電路
低底噪、低失真
DRC 動(dòng)態(tài)失真矯正電路
10% THD+N，VDD=5V，4Ω 負(fù)載下，提供
高達(dá) 3W 的輸出功率
10% THD+N，VDD=5V，2Ω 負(fù)載下，提供
高達(dá) 5W 的輸出功率
短路電流保護(hù)
欠壓保護(hù)
關(guān)斷電流 < 0.5uA
多種功率封裝模式： ESOP-8
過(guò)熱保護(hù)
藍(lán)牙音箱
拉桿音箱、USB 音響
視頻機(jī)、擴(kuò)音器等
LTK5128D典型應(yīng)用電路:
LTK5128D典型應(yīng)用電路:
LTK5128D管腳說(shuō)明
LTK5128D最大額定值（TA=25℃）
附注1：最大功耗取決于三個(gè)因素：TJMAX，TA，θJA，它的計(jì)算公式PDMAX=（TJMAX-TA）/θJA，LTK5128D的TJMA=150℃。TA為外部環(huán)境的溫度，θJA取決于不同的封裝形式。
LTK5128D電氣參數(shù)
一、LTK5128D CLASS D 模式
1）LTK5128D 靜態(tài)電氣參數(shù)
MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
2）動(dòng)態(tài)電氣參數(shù)
MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
二、LTK5128D CLASS AB 模式（ESOP-8封裝）
1）LTK5128D靜態(tài)電氣參數(shù)
MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
2）LTK5128D動(dòng)態(tài)電氣參數(shù)
MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
| No. | 管腳名稱 | IO | 功 能 |
| 1 | SD | I | 關(guān)斷控制，高電平有效 |
| 2 | BYP | IO | 內(nèi)部共模參考電壓 |
| 3 | MODE | I | 高電平D類，低電平AB類，默認(rèn)是AB類 |
| 4 | IN | I | 模擬輸入端，反相 |
| 5 | VON | O | 模擬輸出端負(fù)極 |
| 6 | VDD | IO | 電源 |
| 7 | GND | IO | 電源地 |
| 8 | VOP | O | 模擬輸出正極 |
LTK5128D最大額定值（TA=25℃）
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 工作電壓 | Vcc | 6.0 | V |
| 存儲(chǔ)溫度 | Tstg | -65℃-150℃ | ℃ |
| 輸入電壓 | -0.3 to +（0.3+ Vcc） | V | |
| 功率消耗 | PD | 見附注1 | W |
| 結(jié)溫度 | 160℃ | ℃ |
LTK5128D電氣參數(shù)
一、LTK5128D CLASS D 模式
1）LTK5128D 靜態(tài)電氣參數(shù)
MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
| 信號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
| VDD | 電源電壓 | 2.5 | 5 | 5.5 | V | ||
| IDD | 靜態(tài)電源電流 | MODE=VDD；VDD=5V，IO=0A | 2 | 5 | 8 | mA | |
| ISHDN | 關(guān)斷電流 | VDD=2.5V 到 5.5V | 1 | uA | |||
| FSW | 振蕩頻率 | VDD=2.5V 到 5.5V | 480 | kHz | |||
| Vos | 輸出失調(diào)電壓 | VDD=5V，VIN=0V | 10 | mV | |||
| η | 效率 | THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω； | 87 | % | |||
| THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω； | 90 | ||||||
| OTP | 過(guò)溫保護(hù) | 155 | ℃ | ||||
| RDSON | 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 | IDS=0.5A VGS=5V | P_MOSFET | 180 | mΩ | ||
| N_MOSFET | 140 | ||||||
2）動(dòng)態(tài)電氣參數(shù)
MODE=VDD， ClassD 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
| 信號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
| Po |
輸出功率 |
THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω； |
VDD=5V | 2.9 | W |
||
| VDD=3.6V | 2.3 | ||||||
| VDD=3V | 1.3 | ||||||
| THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω； |
VDD=5V | 2.5 | W |
||||
| VDD=3.6V | 1.6 | ||||||
| VDD=3V | 0.8 | ||||||
| THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω； |
VDD=5V | 4.9 | 5.5 | W |
|||
| VDD=3.6V | 3.2 | 3.5 | |||||
| VDD=3V | 2.3 | 2.6 | |||||
| THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω； |
VDD=5V | 4.6 | 4.8 | W |
|||
| VDD=3.6V | 2.8 | 3 | |||||
| VDD=3V | 1.4 | 1.5 | |||||
| THD+N | 總諧波失真加噪聲 | VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω | f=1kHz | 0.12 | % |
||
| VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω | 0.1 | ||||||
| VDD=5V Po=1W,RL=4Ω | f=1kHz | 0.12 | |||||
| VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω | 0.1 | ||||||
| PSRR | 電源電壓抑制比 | VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF |
64 | dB | |||
| SNR | 信噪比 | VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB | 85 | dB | |||
1）LTK5128D靜態(tài)電氣參數(shù)
MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
| 信號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| VDD | 電源電壓 | 2.5 | 5 | 5.5 | V | |
| IDD | 靜態(tài)電源電流 | VDD=5V，IO=0A | 6 | 10 | 14 | mA |
| ISHDN | 關(guān)斷電流 | VDD=2.5V 到 5.5V | 1 | uA | ||
| Vos | 輸出失調(diào)電壓 | VDD=5V，VIN=0V | 10 | mV | ||
| OTP | 過(guò)溫保護(hù) | 155 | ℃ |
MODE=GND， ClassAB 模式，VDD=5V，TA=25℃的條件下：
| 信號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
| Po |
輸出功率 |
THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω； |
VDD=5V | 2.9 | W |
||
| VDD=3.6V | 2 | ||||||
| VDD=3V | 1.3 | ||||||
| THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω； |
VDD=5V | 2.6 | W |
||||
| VDD=3.6V | 1.6 | ||||||
| VDD=3V | 0.8 | ||||||
| THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω； |
VDD=5V | 4.9 | 5.5 | W |
|||
| VDD=3.6V | 3.2 | 3.5 | |||||
| VDD=3V | 2.3 | 2.6 | |||||
| THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω； |
VDD=5V | 4.5 | 4.6 | W |
|||
| VDD=3.6V | 2.7 | 2.9 | |||||
| VDD=3V | 1.4 | 1.5 | |||||
| THD+N | 總諧波失真加噪聲 | VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω | f=1kHz | 0.18 | % |
||
| VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω | 0.15 | ||||||
| VDD=5V Po=1W,RL=4Ω | f=1kHz | 0.15 | |||||
| VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω | 0.12 | ||||||
| PSRR | 電源電壓抑制比 | VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF |
69 | dB | |||
| SNR | 信噪比 | VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB | 82 | dB | |||
LTK5128D 應(yīng)用信息
LTK5128D驅(qū)動(dòng)2Ω和4Ω負(fù)載時(shí)PCB 布局及補(bǔ)償調(diào)節(jié)考慮事項(xiàng)有阻抗的負(fù)載兩端加上交流電壓可產(chǎn)生功耗，負(fù)載的功耗隨運(yùn)算放大器輸出端和負(fù)載間的連線（PCB連線和金屬連線）而變化。連線產(chǎn)生的阻抗消耗是我們不想要的，比如，0.1Ω的連線阻抗可使4Ω負(fù)載的功率從2.1W減小到2.0W。當(dāng)負(fù)載阻抗減少時(shí)，負(fù)載功耗減少的問(wèn)題更加加重。所以，為能得到高質(zhì)量的輸出功率和較寬的工作頻率，PCB中輸出端與負(fù)載的連接應(yīng)盡量寬。
LTK5128D最大增益LTK5128D的增益由內(nèi)部電阻Rf 和Rs 以及外接電阻Ri決定，Rs=6.5kΩ，Rf=195kΩ；用戶可以外接 Ri 電阻，控制整體的增益。
例如芯片外部串接一個(gè)20 kΩ，那么增益計(jì)算公式如下：
輸入電阻盡量靠近LTK5128的輸入管腳，可以減小PCB板上噪聲的干擾。
LTK5128D偏置電容
模擬基準(zhǔn)準(zhǔn)旁路電容（CBYP）是最關(guān)鍵的電容并與幾個(gè)重要性能相關(guān)，在從關(guān)閉模擬啟動(dòng)或復(fù)位時(shí)，CBYP決定了放大器開啟的速度。第二個(gè)功能是減少電源與輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合時(shí)制造的噪聲，這些噪聲來(lái)自于內(nèi)部模擬基準(zhǔn)或放大器等其它器件，降低了LTK5128D的PSRR和THD＋N性能。
LTK5128D欠壓保護(hù)（UVLO）
LTK5128D具有低電壓檢測(cè)電路，當(dāng)電源電壓下降到2.0V以下時(shí)，LTK5128關(guān)閉輸出，直到VDD≥2.2V時(shí)器件再次開啟回到正常狀態(tài)。
LTK5128D電源去耦
LTK5128D是高性能CMOS音頻放大器，需要足夠的電源退耦以保證輸出THD和PSRR盡可能小。電源的退耦需要兩個(gè)不同類型的電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了更高的頻率響應(yīng)和減小噪聲，一個(gè)適當(dāng)?shù)刃Т?lián)電阻（ESR）的陶瓷電容，典型值1.0µF，放置在盡可能靠近器件VDD端口可以得到最好的工作性能。為了慮除低頻噪聲信號(hào)，推薦放置一個(gè)470µF或更大的電容在電源側(cè)。
LTK5128D輸入電容
對(duì)于便攜式設(shè)計(jì)，大輸入電容既昂貴又占用空間。因此需要恰當(dāng)?shù)妮斎腭詈想娙荩谠S多應(yīng)用便攜式揚(yáng)聲器的例子中，無(wú)論內(nèi)部還是外部，很少可以重現(xiàn)低于100Hz至150Hz的信號(hào)。因此使用一個(gè)大的輸入電容不會(huì)增加系統(tǒng)性能，輸入電容Ci和輸入電阻Ri組成一個(gè)高通濾波器，其中Ri由外接電阻和內(nèi)部輸入電阻Rs=16kΩ之和確定，切斷頻率為
除了系統(tǒng)損耗和尺寸，滴答聲和噼噗聲受輸入耦合電容Ci 的影響，一個(gè)大的輸入耦合電容需要更多的電荷才能到達(dá)它的靜態(tài)電壓（1/2VDD）。這些電荷來(lái)自經(jīng)過(guò)反饋的內(nèi)部電路，和有可能產(chǎn)生噼噗聲的器件啟動(dòng)端，因此，在保證低頻性能的前提下減小輸入電容可以減少啟動(dòng)噼噗聲。
LTK5128D模擬參考電壓端電容
LTK5128D包含有使開啟或關(guān)斷的瞬態(tài)值或“滴答聲和爆裂聲”減到最小的電路。討論中開啟指的是電源電壓的加載或撤消關(guān)斷模式。當(dāng)電源電壓逐漸升至最終值時(shí)，LTK5128D的內(nèi)部放大器就好比配置成整體增益的緩沖器一樣，內(nèi)部電流源加載一個(gè)受線性方式約束的電壓到BYPASS管腳。理論上輸入和輸出的電壓高低將隨加到BYPASS管腳的電壓而改變。直到加載至BYPASS管腳的電壓升到VDD/2，內(nèi)部放大器的增益保持整體穩(wěn)定。加載到BYPASS管腳上的電壓一穩(wěn)定，整個(gè)器件就處于完全工作狀態(tài)。LTK5128D的輸出達(dá)到靜態(tài)直流電壓的時(shí)間越長(zhǎng)，初始的瞬態(tài)響應(yīng)就越小。選擇2.2uF 的電容同時(shí)配以一個(gè)在0.1uF 到0.39uF 間變化的小電容，可以產(chǎn)生一個(gè)滴答聲和爆裂聲都較小的關(guān)斷功能。由以上討論可知，選擇一個(gè)不超過(guò)指定帶寬要求的電容Ci 可以幫助降低滴答聲現(xiàn)象。
LTK5128D EMI的減小
在電源端加一個(gè)470uF以上的耦合電容，能有效減小EMI，前提是放大器到揚(yáng)聲器的距離小于（<20CM）。
大部分應(yīng)用是需要一個(gè)如圖2所示的磁珠濾波器，濾波器有效地減小了1MHz以上的EMI，該應(yīng)用，在高頻是應(yīng)選擇高阻抗的，而在低頻率是應(yīng)選擇低阻抗的。
LTK5128D驅(qū)動(dòng)2Ω和4Ω負(fù)載時(shí)PCB 布局及補(bǔ)償調(diào)節(jié)考慮事項(xiàng)有阻抗的負(fù)載兩端加上交流電壓可產(chǎn)生功耗，負(fù)載的功耗隨運(yùn)算放大器輸出端和負(fù)載間的連線（PCB連線和金屬連線）而變化。連線產(chǎn)生的阻抗消耗是我們不想要的，比如，0.1Ω的連線阻抗可使4Ω負(fù)載的功率從2.1W減小到2.0W。當(dāng)負(fù)載阻抗減少時(shí)，負(fù)載功耗減少的問(wèn)題更加加重。所以，為能得到高質(zhì)量的輸出功率和較寬的工作頻率，PCB中輸出端與負(fù)載的連接應(yīng)盡量寬。
LTK5128D最大增益LTK5128D的增益由內(nèi)部電阻Rf 和Rs 以及外接電阻Ri決定，Rs=6.5kΩ，Rf=195kΩ；用戶可以外接 Ri 電阻，控制整體的增益。
例如芯片外部串接一個(gè)20 kΩ，那么增益計(jì)算公式如下：
輸入電阻盡量靠近LTK5128的輸入管腳，可以減小PCB板上噪聲的干擾。
LTK5128D偏置電容
模擬基準(zhǔn)準(zhǔn)旁路電容（CBYP）是最關(guān)鍵的電容并與幾個(gè)重要性能相關(guān)，在從關(guān)閉模擬啟動(dòng)或復(fù)位時(shí)，CBYP決定了放大器開啟的速度。第二個(gè)功能是減少電源與輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)耦合時(shí)制造的噪聲，這些噪聲來(lái)自于內(nèi)部模擬基準(zhǔn)或放大器等其它器件，降低了LTK5128D的PSRR和THD＋N性能。
LTK5128D欠壓保護(hù)（UVLO）
LTK5128D具有低電壓檢測(cè)電路，當(dāng)電源電壓下降到2.0V以下時(shí)，LTK5128關(guān)閉輸出，直到VDD≥2.2V時(shí)器件再次開啟回到正常狀態(tài)。
LTK5128D電源去耦
LTK5128D是高性能CMOS音頻放大器，需要足夠的電源退耦以保證輸出THD和PSRR盡可能小。電源的退耦需要兩個(gè)不同類型的電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了更高的頻率響應(yīng)和減小噪聲，一個(gè)適當(dāng)?shù)刃Т?lián)電阻（ESR）的陶瓷電容，典型值1.0µF，放置在盡可能靠近器件VDD端口可以得到最好的工作性能。為了慮除低頻噪聲信號(hào)，推薦放置一個(gè)470µF或更大的電容在電源側(cè)。
LTK5128D輸入電容
對(duì)于便攜式設(shè)計(jì)，大輸入電容既昂貴又占用空間。因此需要恰當(dāng)?shù)妮斎腭詈想娙荩谠S多應(yīng)用便攜式揚(yáng)聲器的例子中，無(wú)論內(nèi)部還是外部，很少可以重現(xiàn)低于100Hz至150Hz的信號(hào)。因此使用一個(gè)大的輸入電容不會(huì)增加系統(tǒng)性能，輸入電容Ci和輸入電阻Ri組成一個(gè)高通濾波器，其中Ri由外接電阻和內(nèi)部輸入電阻Rs=16kΩ之和確定，切斷頻率為
除了系統(tǒng)損耗和尺寸，滴答聲和噼噗聲受輸入耦合電容Ci 的影響，一個(gè)大的輸入耦合電容需要更多的電荷才能到達(dá)它的靜態(tài)電壓（1/2VDD）。這些電荷來(lái)自經(jīng)過(guò)反饋的內(nèi)部電路，和有可能產(chǎn)生噼噗聲的器件啟動(dòng)端，因此，在保證低頻性能的前提下減小輸入電容可以減少啟動(dòng)噼噗聲。
LTK5128D模擬參考電壓端電容
LTK5128D包含有使開啟或關(guān)斷的瞬態(tài)值或“滴答聲和爆裂聲”減到最小的電路。討論中開啟指的是電源電壓的加載或撤消關(guān)斷模式。當(dāng)電源電壓逐漸升至最終值時(shí)，LTK5128D的內(nèi)部放大器就好比配置成整體增益的緩沖器一樣，內(nèi)部電流源加載一個(gè)受線性方式約束的電壓到BYPASS管腳。理論上輸入和輸出的電壓高低將隨加到BYPASS管腳的電壓而改變。直到加載至BYPASS管腳的電壓升到VDD/2，內(nèi)部放大器的增益保持整體穩(wěn)定。加載到BYPASS管腳上的電壓一穩(wěn)定，整個(gè)器件就處于完全工作狀態(tài)。LTK5128D的輸出達(dá)到靜態(tài)直流電壓的時(shí)間越長(zhǎng)，初始的瞬態(tài)響應(yīng)就越小。選擇2.2uF 的電容同時(shí)配以一個(gè)在0.1uF 到0.39uF 間變化的小電容，可以產(chǎn)生一個(gè)滴答聲和爆裂聲都較小的關(guān)斷功能。由以上討論可知，選擇一個(gè)不超過(guò)指定帶寬要求的電容Ci 可以幫助降低滴答聲現(xiàn)象。
LTK5128D EMI的減小
在電源端加一個(gè)470uF以上的耦合電容，能有效減小EMI，前提是放大器到揚(yáng)聲器的距離小于（<20CM）。
大部分應(yīng)用是需要一個(gè)如圖2所示的磁珠濾波器，濾波器有效地減小了1MHz以上的EMI，該應(yīng)用，在高頻是應(yīng)選擇高阻抗的，而在低頻率是應(yīng)選擇低阻抗的。
發(fā)送郵件
商務(wù)QQ客服
13823761625
